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2SC5773JR-TL-E

产品描述Silicon NPN Epitaxial UHF / VHF wide band amplifier
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小129KB,共11页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
标准
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2SC5773JR-TL-E概述

Silicon NPN Epitaxial UHF / VHF wide band amplifier

2SC5773JR-TL-E规格参数

参数名称属性值
Brand NameRenesas
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码SC-59A
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.08 A
基于收集器的最大容量1.8 pF
集电极-发射极最大电压6 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)80
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.7 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)10800 MHz
Base Number Matches1

2SC5773JR-TL-E相似产品对比

2SC5773JR-TL-E 2SC5773
描述 Silicon NPN Epitaxial UHF / VHF wide band amplifier Silicon NPN Epitaxial UHF / VHF wide band amplifier
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 MPAK-3
针数 3 3
Reach Compliance Code compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.08 A 0.08 A
基于收集器的最大容量 1.8 pF 1.8 pF
集电极-发射极最大电压 6 V 6 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 80 80
最高频带 ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.7 W 0.7 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 10800 MHz 10800 MHz
Base Number Matches 1 1
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