Si NPN Epitaxial High Frequency Medium Power Amplifier
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 零件包装代码 | SON |
| 包装说明 | 2 X 2 MM, 0.80 MM HEIGHT, LEADLESS, PLASTIC, TNP-6DTV, HWSON-6 |
| 针数 | 6 |
| Reach Compliance Code | compli |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 外壳连接 | EMITTER |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.5 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 5 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 110 |
| 最高频带 | S BAND |
| JESD-30 代码 | S-PBCC-N7 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 7 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs) | 1 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 15500 MHz |
| Base Number Matches | 1 |
| 2SC5945TR-E | 2SC5945 | |
|---|---|---|
| 描述 | Si NPN Epitaxial High Frequency Medium Power Amplifier | Si NPN Epitaxial High Frequency Medium Power Amplifier |
| Reach Compliance Code | compli | compli |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.5 A | 0.5 A |
| 配置 | SINGLE | Single |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 110 | 110 |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
| 极性/信道类型 | NPN | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs) | 1 W | 1 W |
| 表面贴装 | YES | YES |
| Base Number Matches | 1 | 1 |
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