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HN58X2508FPIAG

产品描述Serial Peripheral Interface Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory
产品类别存储    存储   
文件大小240KB,共22页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
标准
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HN58X2508FPIAG概述

Serial Peripheral Interface Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory

HN58X2508FPIAG规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码SOIC
包装说明SOP, SOP8,.25
针数8
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
最大时钟频率 (fCLK)5 MHz
数据保留时间-最小值10
耐久性1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e4
长度4.89 mm
内存密度8192 bi
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量8
字数1024 words
字数代码1000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织1KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP8,.25
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源2/5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.73 mm
串行总线类型SPI
最大待机电流0.000003 A
最大压摆率0.003 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层NICKEL PALLADIUM GOLD
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度3.9 mm
最长写入周期时间 (tWC)5 ms
写保护HARDWARE/SOFTWARE
Base Number Matches1

HN58X2508FPIAG相似产品对比

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描述 Serial Peripheral Interface Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory Serial Peripheral Interface Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory Serial Peripheral Interface Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory Serial Peripheral Interface Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory Serial Peripheral Interface Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory Serial Peripheral Interface Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory
是否无铅 不含铅 - 不含铅 - 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 - 符合 - 符合 符合
厂商名称 Renesas(瑞萨电子) - Renesas(瑞萨电子) - Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码 SOIC - SOIC - SOIC SOIC
包装说明 SOP, SOP8,.25 - SOP, SOP8,.25 - TSSOP, TSSOP8,.25 TSSOP, TSSOP8,.25
针数 8 - 8 - 8 8
Reach Compliance Code compli - compli - compli compli
ECCN代码 EAR99 - EAR99 - EAR99 EAR99
最大时钟频率 (fCLK) 5 MHz - 5 MHz - 5 MHz 5 MHz
数据保留时间-最小值 10 - 10 - 10 10
耐久性 1000000 Write/Erase Cycles - 1000000 Write/Erase Cycles - 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码 R-PDSO-G8 - R-PDSO-G8 - R-PDSO-G8 R-PDSO-G8
长度 4.89 mm - 4.89 mm - 4.4 mm 4.4 mm
内存密度 8192 bi - 16384 bi - 16384 bi 8192 bi
内存集成电路类型 EEPROM - EEPROM - EEPROM EEPROM
内存宽度 8 - 8 - 8 8
功能数量 1 - 1 - 1 1
端子数量 8 - 8 - 8 8
字数 1024 words - 2048 words - 2048 words 1024 words
字数代码 1000 - 2000 - 2000 1000
工作模式 SYNCHRONOUS - SYNCHRONOUS - SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C - 85 °C - 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C - -40 °C - -40 °C -40 °C
组织 1KX8 - 2KX8 - 2KX8 1KX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOP - SOP - TSSOP TSSOP
封装等效代码 SOP8,.25 - SOP8,.25 - TSSOP8,.25 TSSOP8,.25
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行 SERIAL - SERIAL - SERIAL SERIAL
峰值回流温度(摄氏度) 260 - NOT SPECIFIED - 260 260
电源 2/5 V - 2/5 V - 2/5 V 2/5 V
认证状态 Not Qualified - Not Qualified - Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.73 mm - 1.73 mm - 1.1 mm 1.1 mm
串行总线类型 SPI - SPI - SPI SPI
最大待机电流 0.000003 A - 0.000003 A - 0.000003 A 0.000003 A
最大压摆率 0.003 mA - 0.003 mA - 0.003 mA 0.003 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V - 5.5 V - 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 1.8 V - 1.8 V - 1.8 V 1.8 V
表面贴装 YES - YES - YES YES
技术 CMOS - CMOS - CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL - INDUSTRIAL - INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子形式 GULL WING - GULL WING - GULL WING GULL WING
端子节距 1.27 mm - 1.27 mm - 0.65 mm 0.65 mm
端子位置 DUAL - DUAL - DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 3.9 mm - 3.9 mm - 3 mm 3 mm
最长写入周期时间 (tWC) 5 ms - 5 ms - 5 ms 5 ms
写保护 HARDWARE/SOFTWARE - HARDWARE/SOFTWARE - HARDWARE/SOFTWARE HARDWARE/SOFTWARE

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