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HN58X2416FPIE

产品描述Two-wire serial interface 8k EEPROM (1-kword 】 8-bit)/16k EEPROM (2-kword 】 8-bit) 32k EEPROM (4-kword 】 8-bit)/64k EEPROM (8-kword 】 8-bit)
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文件大小150KB,共22页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
标准
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HN58X2416FPIE概述

Two-wire serial interface 8k EEPROM (1-kword 】 8-bit)/16k EEPROM (2-kword 】 8-bit) 32k EEPROM (4-kword 】 8-bit)/64k EEPROM (8-kword 】 8-bit)

HN58X2416FPIE规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码SOIC
包装说明SOP, SOP8,.25
针数8
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大时钟频率 (fCLK)0.4 MHz
数据保留时间-最小值10
耐久性100000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节1010MMMR
JESD-30 代码R-PDSO-G8
长度4.89 mm
内存密度16384 bit
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量8
字数2048 words
字数代码2000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织2KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP8,.25
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行SERIAL
电源2/5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.73 mm
串行总线类型I2C
最大待机电流0.000003 A
最大压摆率0.003 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)1.8 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
宽度3.9 mm
最长写入周期时间 (tWC)15 ms
写保护HARDWARE
Base Number Matches1

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HN58X2408I/HN58X2416I
HN58X2432I/HN58X2464I
Two-wire serial interface
8k EEPROM (1-kword
×
8-bit)/16k EEPROM (2-kword
×
8-bit)
32k EEPROM (4-kword
×
8-bit)/64k EEPROM (8-kword
×
8-bit)
REJ03C0131-0500
Rev. 5.00
Jan.14.2005
Description
HN58X24xxI series are two-wire serial interface EEPROM (Electrically Erasable and Programmable
ROM). They realize high speed, low power consumption and a high level of reliability by employing
advanced MNOS memory technology and CMOS process and low voltage circuitry technology. They also
have a 32-byte page programming function to make their write operation faster.
Note: Renesas Technology’s serial EEPROM are authorized for using consumer applications such as
cellular phone, camcorders, audio equipment. Therefore, please contact Renesas Technology’s
sales office before using industrial applications such as automotive systems, embedded controllers,
and meters.
Features
Single supply: 1.8 V to 5.5 V
Two-wire serial interface (I
2
C
TM
serial bus*
1
)
Clock frequency: 400 kHz
Power dissipation:
Standby: 3
µA
(max)
Active (Read): 1 mA (max)
Active (Write): 3 mA (max)
Automatic page write: 32-byte/page
Write cycle time: 10 ms (2.7 V to 5.5 V)/15ms (1.8 V to 2.7 V)
Endurance: 10
5
Cycles (Page write mode)
Data retention: 10 Years
Rev.5.00, Jan.14.2005, page 1 of 20
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