Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
参数名称 | 属性值 |
Brand Name | Renesas |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
零件包装代码 | TO-3P |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
针数 | 4 |
制造商包装代码 | PRSS0004ZE-A4 |
Reach Compliance Code | compli |
ECCN代码 | EAR99 |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 60 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 45 A |
最大漏极电流 (ID) | 45 A |
最大漏源导通电阻 | 0.025 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码 | e2 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 100 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 180 A |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子面层 | TIN COPPER |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
2SK2955-E | 2SK2955 | |
---|---|---|
描述 | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
是否无铅 | 不含铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 | 不符合 |
零件包装代码 | TO-3P | TO-3P |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
针数 | 4 | 3 |
Reach Compliance Code | compli | compli |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
外壳连接 | DRAIN | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 60 V | 60 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 45 A | 45 A |
最大漏极电流 (ID) | 45 A | 45 A |
最大漏源导通电阻 | 0.025 Ω | 0.025 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码 | e2 | e0 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 100 W | 100 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 180 A | 180 A |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | NO | NO |
端子面层 | TIN COPPER | TIN LEAD |
端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
Base Number Matches | 1 | 1 |
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