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2SK2955-E

产品描述Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小82KB,共8页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
标准
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2SK2955-E概述

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

2SK2955-E规格参数

参数名称属性值
Brand NameRenesas
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码TO-3P
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数4
制造商包装代码PRSS0004ZE-A4
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)45 A
最大漏极电流 (ID)45 A
最大漏源导通电阻0.025 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e2
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)100 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)180 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN COPPER
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

2SK2955-E相似产品对比

2SK2955-E 2SK2955
描述 Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
是否无铅 不含铅 含铅
是否Rohs认证 符合 不符合
零件包装代码 TO-3P TO-3P
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数 4 3
Reach Compliance Code compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99
外壳连接 DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 60 V 60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 45 A 45 A
最大漏极电流 (ID) 45 A 45 A
最大漏源导通电阻 0.025 Ω 0.025 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e2 e0
元件数量 1 1
端子数量 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 100 W 100 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 180 A 180 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子面层 TIN COPPER TIN LEAD
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1
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