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2SK2373ZE-TR-E

产品描述Silicon N Channel MOS FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小86KB,共6页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
标准
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2SK2373ZE-TR-E概述

Silicon N Channel MOS FET

2SK2373ZE-TR-E规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
零件包装代码SC-59A
包装说明SC-59A, MPAK-3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)0.2 A
最大漏极电流 (ID)0.2 A
最大漏源导通电阻7.5 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e6
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)0.15 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN BISMUTH
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

2SK2373ZE-TR-E相似产品对比

2SK2373ZE-TR-E 2SK2373 2SK2373ZE-TL-E
描述 Silicon N Channel MOS FET Silicon N Channel MOS FET Silicon N Channel MOS FET
针数 3 3 3
Reach Compliance Code unknow compli unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR Single SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最大漏极电流 (Abs) (ID) 0.2 A 0.2 A 0.2 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 0.15 W 0.15 W 0.15 W
表面贴装 YES YES YES
Base Number Matches 1 1 1
是否Rohs认证 符合 - 符合
零件包装代码 SC-59A - SC-59A
包装说明 SC-59A, MPAK-3 - SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
最小漏源击穿电压 30 V - 30 V
最大漏极电流 (ID) 0.2 A - 0.2 A
最大漏源导通电阻 7.5 Ω - 7.5 Ω
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 - R-PDSO-G3
JESD-609代码 e6 - e6
元件数量 1 - 1
端子数量 3 - 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 - 260
认证状态 Not Qualified - Not Qualified
端子面层 TIN BISMUTH - TIN BISMUTH
端子形式 GULL WING - GULL WING
端子位置 DUAL - DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - 20
晶体管应用 SWITCHING - SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON - SILICON
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