Silicon N Channel MOS FET
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
零件包装代码 | SC-59A |
包装说明 | SC-59A, MPAK-3 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | unknow |
ECCN代码 | EAR99 |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
最小漏源击穿电压 | 30 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 0.2 A |
最大漏极电流 (ID) | 0.2 A |
最大漏源导通电阻 | 7.5 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码 | e6 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 0.15 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | TIN BISMUTH |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
2SK2373ZE-TR-E | 2SK2373 | 2SK2373ZE-TL-E | |
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描述 | Silicon N Channel MOS FET | Silicon N Channel MOS FET | Silicon N Channel MOS FET |
针数 | 3 | 3 | 3 |
Reach Compliance Code | unknow | compli | unknow |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | Single | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 0.2 A | 0.2 A | 0.2 A |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 0.15 W | 0.15 W | 0.15 W |
表面贴装 | YES | YES | YES |
Base Number Matches | 1 | 1 | 1 |
是否Rohs认证 | 符合 | - | 符合 |
零件包装代码 | SC-59A | - | SC-59A |
包装说明 | SC-59A, MPAK-3 | - | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
最小漏源击穿电压 | 30 V | - | 30 V |
最大漏极电流 (ID) | 0.2 A | - | 0.2 A |
最大漏源导通电阻 | 7.5 Ω | - | 7.5 Ω |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 | - | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码 | e6 | - | e6 |
元件数量 | 1 | - | 1 |
端子数量 | 3 | - | 3 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE | - | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 | - | 260 |
认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified |
端子面层 | TIN BISMUTH | - | TIN BISMUTH |
端子形式 | GULL WING | - | GULL WING |
端子位置 | DUAL | - | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | - | 20 |
晶体管应用 | SWITCHING | - | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | - | SILICON |
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