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MRF1035MB

产品描述RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, NPN, 0.280 INCH, PILL, 4 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小13KB,共1页
制造商Advanced Semiconductor, Inc.
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MRF1035MB概述

RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, NPN, 0.280 INCH, PILL, 4 PIN

MRF1035MB规格参数

参数名称属性值
包装说明DISK BUTTON, O-CRDB-F4
针数4
Reach Compliance Codeunknown
外壳连接BASE
最大集电极电流 (IC)2 A
基于收集器的最大容量15 pF
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)10
最高频带L BAND
JESD-30 代码O-CRDB-F4
元件数量1
端子数量4
最高工作温度200 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状ROUND
封装形式DISK BUTTON
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)35 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置RADIAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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MRF1035MB
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The
ASI MRF1035MB
is Designed
for Class C, DME/TACAN Applications
up to 1090 MHz.
PACKAGE STYLE .280 4L PILL (A)
A
C
.100x45°
FEATURES:
Internal Input Matching Network
P
G
= 10 dB at 35 W/1090 MHz
Omnigold™
Metalization System
C
B
B
B
ØG
E
MAXIMUM RATINGS
I
C
V
CBO
V
CES
P
DISS
T
J
T
STG
θ
JC
2.0 A
60 V
DIM
D
E
F
MINIMUM
inches / mm
MAXIMUM
inches / mm
60 V
35 W
PEAK
A
B
C
D
.095 / 2.41
.195 / 4.95
1.000 / 25.40
.004 / 0.10
.050 / 1.27
.105 / 2.67
.205 / 5.21
.007 / 0.18
.065 / 1.65
.145 / 3.68
-65 °C to +200 °C
-65 °C to +150 °C
5.0 °C/W
E
F
G
.275 / 6.99
.285 / 7.21
CHARACTERISTICS
SYMBOL
BV
CBO
BV
CES
BV
EBO
I
CBO
h
FE
C
ob
P
G
η
C
I
C
= 20 mA
I
C
= 20 mA
T
C
= 25 °C
NONETEST
CONDITIONS
MINIMUM TYPICAL MAXIMUM
60
60
4.0
2.0
UNITS
V
V
V
mA
---
pF
dB
%
I
E
= 2.0 mA
V
CE
= 50 V
V
CE
= 5.0 V
V
CB
= 50 V
V
CC
= 50 V
P
OUT
= 35 W
I
C
= 500 mA
f = 1.0 MHz
f = 1090 MHz
10
10
10
30
12.4
34
100
15
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
7525 ETHEL AVENUE
NORTH HOLLYWOOD, CA 91605
(818) 982-1200
FAX (818) 765-3004
Specifications are subject to change without notice.
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