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MTD20N06V

产品描述TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,20A I(D),TO-252
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小721KB,共10页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
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MTD20N06V概述

TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,20A I(D),TO-252

MTD20N06V规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)20 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)60 W
表面贴装YES
Base Number Matches1

MTD20N06V相似产品对比

MTD20N06V
描述 TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,20A I(D),TO-252
是否Rohs认证 不符合
Reach Compliance Code unknown
配置 Single
最大漏极电流 (Abs) (ID) 20 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 60 W
表面贴装 YES
Base Number Matches 1
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