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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> MMBR911MLT1
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MMBR911MLT1

产品描述RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.06A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小321KB，共1页
制造商ADPOW
官网地址http://www.advancedpower.com/
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MMBR911MLT1概述

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.06A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN

MMBR911MLT1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)0.06 A
集电极-发射极最大电压12 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)30
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.333 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)6000 MHz
Base Number Matches1

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MMBR911MLT1
RF PRODUCTS
DIVISION
RF & MICROWAVE TRANSISTORS
DESCRIPTION
KEY FEATURES
W W W .
Microsemi
.COM
The MMBR911MLT1 is a low noise, high gain, discrete
silicon bipolar transistors housed in low cost plastic packages.
!
High FTau-6.0 GHz
!
Low noise-2.9dB@1GHz
PR
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
DISS
T
J
T
STG
R
TH(j-c)
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
I
CBO
h
FE
Test
I
C
= .1mA
I
C
=1.0mA
V
CB
=15V
V
CE
=10V
Symbol
C
CB
FTau
NFmin
G
NF
Test
Copyright 2000
CXXXX.PDF 2000-11-06
IMPORTANT:
For the most current data, consult
MICROSEMI’s
website:
http://www.microsemi.com
!
Low cost SOT23 package
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
CASE
= 25
C)
APPLICATIONS/BENEFITS
APPLICATIONS/BENEFITS
Parameter
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Device Current
Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
Junction-Case Thermal Resistance
EL
THERMAL DATA
Value
20
12
2.0
60
333
150
-55 to +150
Unit
V
V
V
mA
mW
C
C
!
LNA, Oscillator, Pre-Driver
STATIC ELECTRICAL SPECIFICATIONS (TCASE = 25 C)
DYMANIC ELECTRICAL SPECIFICATIONS (TCASE = 25 C)
V
CB
= 10 V
f
= 1.0 MHz
V
CE
= 10 V I
C
= 30 mA
f
= 1.0 GHz
V
CE
= 10 V I
C
= 10 mA
f
= 1.0 GHz
V
CE
= 10 V I
C
= 10 mA
f
= 1.0 GHz
RF Products Division
140 Commerce Drive, Montgomeryville PA 18936, (215) 631-9840, Fax: (215) 631-9855
IN
IM
225
C/W
Conditions
I
E
= 0
I
B
= 0
I
E
= 0
I
C
= 30mA
Min.
20
12
30
Typ.
Conditions
Min.
Typ.
1.0
6.0
2.9
11
SOT-23
MMBR911MLT1
Max.
50
200
Units
V
V
nA
Y
AR
Max.
Units
PF
GHz
MMBR911MLT1
dB
dB
Microsemi
Page 1 of 1

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