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HIT1213-TZ-EQ

产品描述Silicon NPN Epitaxial
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小108KB,共5页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
标准
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HIT1213-TZ-EQ概述

Silicon NPN Epitaxial

HIT1213-TZ-EQ规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码TO-92
包装说明CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性NOT FOR AUTOMOTIVE OR INDUSTRIAL USE
最大集电极电流 (IC)0.5 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)60
JEDEC-95代码TO-92
JESD-30 代码O-PBCY-T3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.4 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON

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HIT1213
Silicon NPN Epitaxial
REJ03G1609-0100
Rev.1.00
Nov 28, 2007
Features
Low frequency power amplifier
Complementary pair with HIT673
Outline
RENESAS Package code: PRSS0003DA-A
(Package name: TO-92 (1))
1. Emitter
2. Collector
3. Base
3
2
1
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Collector current
Collector peak current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Note:
PW
10 ms, Duty cycle
20%
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
C (peak) Note
P
C
Tj
Tstg
Ratings
50
50
5
0.5
1.0
0.4
150
–55 to +150
Unit
V
V
V
A
A
W
°C
°C
REJ03G1609-0100 Rev.1.00 Nov 28, 2007
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HIT1213-TZ-EQ相似产品对比

HIT1213-TZ-EQ HIT1213 HIT1213-EQ
描述 Silicon NPN Epitaxial Silicon NPN Epitaxial Silicon NPN Epitaxial
是否无铅 不含铅 - 不含铅
是否Rohs认证 符合 - 符合
厂商名称 Renesas(瑞萨电子) - Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码 TO-92 - TO-92
包装说明 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 - CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数 3 - 3
Reach Compliance Code compli - compli
ECCN代码 EAR99 - EAR99
其他特性 NOT FOR AUTOMOTIVE OR INDUSTRIAL USE - NOT FOR AUTOMOTIVE OR INDUSTRIAL USE
最大集电极电流 (IC) 0.5 A - 0.5 A
集电极-发射极最大电压 50 V - 50 V
配置 SINGLE - SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 60 - 60
JEDEC-95代码 TO-92 - TO-92
JESD-30 代码 O-PBCY-T3 - O-PBCY-T3
湿度敏感等级 1 - 1
元件数量 1 - 1
端子数量 3 - 3
最高工作温度 150 °C - 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND - ROUND
封装形式 CYLINDRICAL - CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN - NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.4 W - 0.4 W
认证状态 Not Qualified - Not Qualified
表面贴装 NO - NO
端子形式 THROUGH-HOLE - THROUGH-HOLE
端子位置 BOTTOM - BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
晶体管应用 AMPLIFIER - AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON - SILICON
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