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2SC1907TZ-E

产品描述Silicon NPN Epitaxial Planar
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小158KB,共6页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
标准
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2SC1907TZ-E概述

Silicon NPN Epitaxial Planar

2SC1907TZ-E规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.05 A
基于收集器的最大容量2 pF
集电极-发射极最大电压19 V
配置SINGLE
JEDEC-95代码TO-92
JESD-30 代码O-PBCY-W3
JESD-609代码e2
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)1100 MHz
Base Number Matches1

2SC1907TZ-E相似产品对比

2SC1907TZ-E 2SC1907
描述 Silicon NPN Epitaxial Planar Silicon NPN Epitaxial Planar
是否无铅 不含铅 含铅
是否Rohs认证 符合 不符合
包装说明 CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 TO-92, 3 PIN
Reach Compliance Code compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.05 A 0.05 A
基于收集器的最大容量 2 pF 2 pF
集电极-发射极最大电压 19 V 19 V
配置 SINGLE SINGLE
JEDEC-95代码 TO-92 TO-92
JESD-30 代码 O-PBCY-W3 O-PBCY-T3
JESD-609代码 e2 e0
元件数量 1 1
端子数量 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子面层 Tin/Copper (Sn/Cu) TIN LEAD
端子形式 WIRE THROUGH-HOLE
端子位置 BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 1100 MHz 1100 MHz
Base Number Matches 1 1

 
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