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2SA836

产品描述Silicon PNP Epitaxial
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小157KB,共6页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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2SA836概述

Silicon PNP Epitaxial

2SA836规格参数

参数名称属性值
零件包装代码TO-92
包装说明TO-92, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压55 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)160
JEDEC-95代码TO-92
JESD-30 代码O-PBCY-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)200 MHz
Base Number Matches1

2SA836相似产品对比

2SA836 2SA836CTZ 2SA836DTZ
描述 Silicon PNP Epitaxial Silicon PNP Epitaxial Silicon PNP Epitaxial
零件包装代码 TO-92 TO-92 TO-92
针数 3 3 3
Reach Compliance Code compli unknow compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
Base Number Matches 1 1 1
包装说明 TO-92, 3 PIN CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 -
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A -
集电极-发射极最大电压 55 V 55 V -
配置 SINGLE SINGLE -
最小直流电流增益 (hFE) 160 160 -
JEDEC-95代码 TO-92 TO-92 -
JESD-30 代码 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 -
元件数量 1 1 -
端子数量 3 3 -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装形状 ROUND ROUND -
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL -
极性/信道类型 PNP PNP -
认证状态 Not Qualified Not Qualified -
表面贴装 NO NO -
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE -
端子位置 BOTTOM BOTTOM -
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER -
晶体管元件材料 SILICON SILICON -
标称过渡频率 (fT) 200 MHz 200 MHz -
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