IGC168T170S8RMX1SA3,IGC168T170S8RMX1SA3 pdf中文资料,IGC168T170S8RMX1SA3引脚图,IGC168T170S8RMX1SA3电路-Datasheet-电子工程世界

IGC168T170S8RMX1SA3: 产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, 13.38 X 12.58 MM, DIE-10; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小305KB，共9页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/; 标准

下载文档详细参数选型对比全文预览

IGC168T170S8RMX1SA3概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, 13.38 X 12.58 MM, DIE-10

	IGC168T170S8RMX1SA3	IGC168T170S8RM
描述	Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, 13.38 X 12.58 MM, DIE-10	low switching losses
是否无铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	符合	符合
零件包装代码	DIE	DIE
包装说明	UNCASED CHIP, R-XUUC-N10	UNCASED CHIP, R-XUUC-N10
针数	10	10
Reach Compliance Code	compliant	compli
最大集电极电流 (IC)	150 A	150 A
集电极-发射极最大电压	1700 V	1700 V
配置	SINGLE	SINGLE
JESD-30 代码	R-XUUC-N10	R-XUUC-N10
元件数量	1	1
端子数量	10	10
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	UNCASED CHIP	UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES
端子形式	NO LEAD	NO LEAD
端子位置	UPPER	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	POWER CONTROL	POWER CONTROL
晶体管元件材料	SILICON	SILICON
Base Number Matches	1	1

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ