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FDS5682

产品描述N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 7.5A, 21m ohm
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小382KB,共12页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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FDS5682概述

N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 7.5A, 21m ohm

FDS5682规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Fairchild
零件包装代码SOT
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数8
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)94 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)6.7 A
最大漏极电流 (ID)7.5 A
最大漏源导通电阻0.021 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)2.5 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

FDS5682相似产品对比

FDS5682 FDS5682_08
描述 N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 7.5A, 21m ohm N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 7.5A, 21m ohm

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