电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

FDP33N25_07

产品描述33 A, 250 V, 0.094 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小371KB,共10页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

FDP33N25_07概述

33 A, 250 V, 0.094 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB

33 A, 250 V, 0.094 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-220AB

FDP33N25_07规格参数

参数名称属性值
端子数量3
最小击穿电压250 V
加工封装描述铅 FREE, TO-220, 3 PIN
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
状态ACTIVE
包装形状矩形的
包装尺寸凸缘安装
端子形式THROUGH-孔
端子涂层MATTE 锡
端子位置单一的
包装材料塑料/环氧树脂
结构单一的 WITH BUILT-IN 二极管
元件数量1
晶体管应用开关
晶体管元件材料
通道类型N沟道
场效应晶体管技术金属-OXIDE SEMICONDUCTOR
操作模式ENHANCEMENT
晶体管类型通用电源
最大漏电流33 A
额定雪崩能量918 mJ
最大漏极导通电阻0.0940 ohm
最大漏电流脉冲132 A

FDP33N25_07相似产品对比

FDP33N25_07 FDPF33N25
描述 33 A, 250 V, 0.094 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB 33 A, 250 V, 0.094 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
端子数量 3 3
端子形式 THROUGH-孔 THROUGH-HOLE
端子位置 单一的 SINGLE
元件数量 1 1
晶体管应用 开关 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 367  463  1114  1159  1506 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved