33 A, 250 V, 0.094 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
33 A, 250 V, 0.094 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-220AB
参数名称 | 属性值 |
端子数量 | 3 |
最小击穿电压 | 250 V |
加工封装描述 | 铅 FREE, TO-220, 3 PIN |
无铅 | Yes |
欧盟RoHS规范 | Yes |
状态 | ACTIVE |
包装形状 | 矩形的 |
包装尺寸 | 凸缘安装 |
端子形式 | THROUGH-孔 |
端子涂层 | MATTE 锡 |
端子位置 | 单一的 |
包装材料 | 塑料/环氧树脂 |
结构 | 单一的 WITH BUILT-IN 二极管 |
元件数量 | 1 |
晶体管应用 | 开关 |
晶体管元件材料 | 硅 |
通道类型 | N沟道 |
场效应晶体管技术 | 金属-OXIDE SEMICONDUCTOR |
操作模式 | ENHANCEMENT |
晶体管类型 | 通用电源 |
最大漏电流 | 33 A |
额定雪崩能量 | 918 mJ |
最大漏极导通电阻 | 0.0940 ohm |
最大漏电流脉冲 | 132 A |
FDP33N25_07 | FDPF33N25 | |
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描述 | 33 A, 250 V, 0.094 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | 33 A, 250 V, 0.094 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
端子数量 | 3 | 3 |
端子形式 | THROUGH-孔 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | 单一的 | SINGLE |
元件数量 | 1 | 1 |
晶体管应用 | 开关 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | 硅 | SILICON |
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