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FQA10N80C_07

产品描述10 A, 800 V, 1.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小805KB,共8页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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FQA10N80C_07概述

10 A, 800 V, 1.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

10 A, 800 V, 1.1 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管

FQA10N80C_07规格参数

参数名称属性值
最小击穿电压800 V
端子数量3
加工封装描述ROHS COMPLIANT, TO-3PN, 3 PIN
each_compliYes
欧盟RoHS规范Yes
状态Active
额定雪崩能量920 mJ
结构SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
drain_current_max__abs___id_10 A
最大漏电流10 A
最大漏极导通电阻1.1 ohm
场效应晶体管技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
jesd_30_codeR-PSFM-T3
jesd_609_codee3
moisture_sensitivity_levelNOT APPLICABLE
元件数量1
操作模式ENHANCEMENT MODE
最大工作温度150 Cel
包装材料PLASTIC/EPOXY
包装形状RECTANGULAR
包装尺寸FLANGE MOUNT
eak_reflow_temperature__cel_NOT SPECIFIED
larity_channel_typeN-CHANNEL
wer_dissipation_max__abs_240 W
最大漏电流脉冲40 A
qualification_statusCOMMERCIAL
sub_categoryFET General Purpose Power
表面贴装NO
端子涂层MATTE TIN
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
ime_peak_reflow_temperature_max__s_NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

FQA10N80C_07相似产品对比

FQA10N80C_07 FQA10N80C_F109
描述 10 A, 800 V, 1.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET 10 A, 800 V, 1.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
端子数量 3 3
元件数量 1 1
表面贴装 NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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