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MMDF3200Z

产品描述TRANSISTOR,MOSFET,MATCHED PAIR,N-CHANNEL,20V V(BR)DSS,SO
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小263KB,共4页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
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MMDF3200Z概述

TRANSISTOR,MOSFET,MATCHED PAIR,N-CHANNEL,20V V(BR)DSS,SO

MMDF3200Z规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Reach Compliance Codeunknown
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压20 V
最大漏极电流 (ID)7.1 A
最大漏源导通电阻0.015 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e0
元件数量2
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)2 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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