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UPD444010LGY-C12X-MJH

产品描述Standard SRAM, 512KX8, 120ns, CMOS, PDSO48, 12 X 18 MM, PLASTIC, TSOP1-48
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文件大小129KB,共20页
制造商NEC(日电)
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UPD444010LGY-C12X-MJH概述

Standard SRAM, 512KX8, 120ns, CMOS, PDSO48, 12 X 18 MM, PLASTIC, TSOP1-48

UPD444010LGY-C12X-MJH规格参数

参数名称属性值
零件包装代码TSOP1
包装说明TSOP1,
针数48
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间120 ns
JESD-30 代码R-PDSO-G48
长度16.4 mm
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量48
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-25 °C
组织512KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP1
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.2 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
宽度12 mm
Base Number Matches1

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PRELIMINARY DATA SHEET
MOS INTEGRATED CIRCUIT
µ
PD444010L-X
4M-BIT CMOS STATIC RAM
512K-WORD BY 8-BIT
EXTENDED TEMPERATURE OPERATION
Description
The
µ
PD444010L-X is a high speed, low power, 4,194,304 bits (524,288 words by 8 bits) CMOS static RAM.
The
µ
PD444010L-X has two chip enable pins (/CE1, CE2) to extend the capacity.
The
µ
PD444010L-X is packed in 48-pin plastic TSOP (I).
Features
524,288 words by 8 bits organization
Fast access time: 70, 85, 100, 120, 150 ns (MAX.)
Low voltage operation
(B version : V
CC
= 2.7 to 3.6 V, C version : V
CC
= 2.2 to 3.6 V, D version : V
CC
= 1.8 to 3.6 V)
Operating ambient temperature: T
A
= –25 to +85 °C
Output Enable input for easy application
Two Chip Enable inputs: /CE1, CE2
Part number
Access time
ns (MAX.)
Operating supply
voltage
V
Operating ambient
temperature
°C
−25
to +85
At operating
mA (MAX.)
40
Supply current
At standby
At data retention
µ
A (MAX.)
7
µ
A (MAX.)
7
µ
PD444010L-BxxX
µ
PD444010L-CxxX
µ
PD444010L-DxxX
70, 85
100, 120
120, 150
2.7 to 3.6
2.2 to 3.6
1.8 to 3.6
The information in this document is subject to change without notice.
Document No. M13960EJ1V0DS00 (1st edition)
Date Published December 1998 NS CP (K)
Printed in Japan
The mark
5
shows major revised points.
©
1998
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