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HFA1120MJ/883

产品描述

HFA1120MJ/883放大器基础信息:

HFA1120MJ/883是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为DIP, DIP8,.3

HFA1120MJ/883放大器核心信息:

HFA1120MJ/883的最低工作温度是-55 °C,最高工作温度是125 °C。25℃下的最大偏置电流为:40 µA

厂商给出的HFA1120MJ/883的最大压摆率为33 mA,而最小压摆率为1950 V/us。

HFA1120MJ/883的标称供电电压为5 V,其对应的标称负供电电压为-5 V。而其供电电源的范围为:+-5 V。HFA1120MJ/883的输入失调电压为10000 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)

HFA1120MJ/883的相关尺寸:

HFA1120MJ/883拥有8个端子.其端子位置类型为:DUAL。端子节距为2.54 mm。

HFA1120MJ/883放大器其他信息:

HFA1120MJ/883采用了CURRENT-FEEDBACK的架构。其不属于低失调类放大器。HFA1120MJ/883的频率补偿情况是:YES。其温度等级为:MILITARY。HFA1120MJ/883不符合Rohs认证。

其对应的的JESD-30代码为:R-GDIP-T8。其对应的的JESD-609代码为:e0。HFA1120MJ/883的封装代码是:DIP。HFA1120MJ/883封装的材料多为CERAMIC, GLASS-SEALED。而其封装形状为RECTANGULAR。

HFA1120MJ/883封装引脚的形式有:IN-LINE。其端子形式有:THROUGH-HOLE。

产品类别模拟混合信号IC    放大器电路   
文件大小41KB,共1页
制造商Harris
官网地址http://www.harris.com/
器件替换:HFA1120MJ/883替换放大器
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HFA1120MJ/883概述

HFA1120MJ/883放大器基础信息:

HFA1120MJ/883是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为DIP, DIP8,.3

HFA1120MJ/883放大器核心信息:

HFA1120MJ/883的最低工作温度是-55 °C,最高工作温度是125 °C。25℃下的最大偏置电流为:40 µA

厂商给出的HFA1120MJ/883的最大压摆率为33 mA,而最小压摆率为1950 V/us。

HFA1120MJ/883的标称供电电压为5 V,其对应的标称负供电电压为-5 V。而其供电电源的范围为:+-5 V。HFA1120MJ/883的输入失调电压为10000 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)

HFA1120MJ/883的相关尺寸:

HFA1120MJ/883拥有8个端子.其端子位置类型为:DUAL。端子节距为2.54 mm。

HFA1120MJ/883放大器其他信息:

HFA1120MJ/883采用了CURRENT-FEEDBACK的架构。其不属于低失调类放大器。HFA1120MJ/883的频率补偿情况是:YES。其温度等级为:MILITARY。HFA1120MJ/883不符合Rohs认证。

其对应的的JESD-30代码为:R-GDIP-T8。其对应的的JESD-609代码为:e0。HFA1120MJ/883的封装代码是:DIP。HFA1120MJ/883封装的材料多为CERAMIC, GLASS-SEALED。而其封装形状为RECTANGULAR。

HFA1120MJ/883封装引脚的形式有:IN-LINE。其端子形式有:THROUGH-HOLE。

HFA1120MJ/883规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明DIP, DIP8,.3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
放大器类型OPERATIONAL AMPLIFIER
架构CURRENT-FEEDBACK
25C 时的最大偏置电流 (IIB)40 µA
标称共模抑制比46 dB
频率补偿YES
最大输入失调电压10000 µV
JESD-30 代码R-GDIP-T8
JESD-609代码e0
低-失调NO
标称负供电电压 (Vsup)-5 V
功能数量1
端子数量8
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码DIP
封装等效代码DIP8,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
电源+-5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别38535Q/M;38534H;883B
最小摆率1950 V/us
最大压摆率33 mA
供电电压上限6 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术BIPOLAR
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
宽带YES
Base Number Matches1

HFA1120MJ/883相似产品对比

HFA1120MJ/883 HFA1100MJ/883 HFA1100IP HFA1100IJ HFA1120IP HFA1120IJ HFA1120IB
描述 Operational Amplifier, 1 Func, 10000uV Offset-Max, BIPolar, CDIP8 Operational Amplifier, 1 Func, 10000uV Offset-Max, BIPolar, CDIP8 Video Amplifier, 1 Func, Bipolar, PDIP8 Operational Amplifier, 1 Func, 10000uV Offset-Max, BIPolar, CDIP8 Operational Amplifier, 1 Func, 10000uV Offset-Max, BIPolar, PDIP8 Operational Amplifier, 1 Func, 10000uV Offset-Max, BIPolar, CDIP8 Video Amplifier, 1 Func, Bipolar, PDSO8
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
放大器类型 OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER
JESD-30 代码 R-GDIP-T8 R-GDIP-T8 R-PDIP-T8 R-GDIP-T8 R-PDIP-T8 R-GDIP-T8 R-PDSO-G8
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
功能数量 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 8 8 8 8 8 8 8
封装主体材料 CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED PLASTIC/EPOXY CERAMIC, GLASS-SEALED PLASTIC/EPOXY CERAMIC, GLASS-SEALED PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE SMALL OUTLINE
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO NO NO YES
技术 BIPOLAR BIPOLAR BIPOLAR BIPOLAR BIPOLAR BIPOLAR BIPOLAR
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
包装说明 DIP, DIP8,.3 - , - DIP, DIP8,.3 DIP, DIP8,.3 SOP,
架构 CURRENT-FEEDBACK CURRENT-FEEDBACK - CURRENT-FEEDBACK CURRENT-FEEDBACK CURRENT-FEEDBACK -
25C 时的最大偏置电流 (IIB) 40 µA 50 µA - 50 µA 40 µA 40 µA -
标称共模抑制比 46 dB 46 dB - 46 dB 46 dB 46 dB -
频率补偿 YES YES - YES YES YES -
最大输入失调电压 10000 µV 10000 µV - 10000 µV 10000 µV 10000 µV -
低-失调 NO NO - NO NO NO -
标称负供电电压 (Vsup) -5 V -5 V - -5 V -5 V -5 V -
最高工作温度 125 °C 125 °C - 85 °C 85 °C 85 °C -
最低工作温度 -55 °C -55 °C - -40 °C -40 °C -40 °C -
封装代码 DIP DIP - DIP DIP DIP SOP
封装等效代码 DIP8,.3 DIP8,.3 - DIP8,.3 DIP8,.3 DIP8,.3 -
电源 +-5 V +-5 V - +-5 V +-5 V +-5 V -
最小摆率 1950 V/us 1850 V/us - 1850 V/us 1950 V/us 1950 V/us -
最大压摆率 33 mA 33 mA - 33 mA 33 mA 33 mA -
供电电压上限 6 V 6 V - 6 V 6 V 6 V -
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V - 5 V 5 V 5 V -
温度等级 MILITARY MILITARY - INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL -
端子节距 2.54 mm 2.54 mm - 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm -
宽带 YES YES - YES YES YES -
Base Number Matches 1 1 1 1 - - -
峰值回流温度(摄氏度) - NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
处于峰值回流温度下的最长时间 - NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
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