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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> IDT71681SAF

IDT71681SAF: 产品描述Standard SRAM, 4KX4, CMOS; 产品类别存储存储; 文件大小755KB，共9页; 制造商IDT (Integrated Device Technology)

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IDT71681SAF概述

Standard SRAM, 4KX4, CMOS

IDT71681SAF规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
Reach Compliance Code	not_compliant
I/O 类型	SEPARATE
JESD-609代码	e0
内存密度	16384 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	4
字数	4096 words
字数代码	4000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	4KX4
输出特性	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC
封装代码	DFP
封装等效代码	FL(UNSPEC)
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
筛选级别	38535Q/M;38534H;883B
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	FLAT
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30
Base Number Matches	1

IDT71681SAF相似产品对比

	IDT71681SAF	IDT71681SART	IDT71682LAF	IDT71682SAF	IDT71681LAF	IDT71681LART
描述	Standard SRAM, 4KX4, CMOS	Standard SRAM, 4KX4, CMOS	Standard SRAM, 4KX4, CMOS	Standard SRAM, 4KX4, CMOS	Standard SRAM, 4KX4, CMOS	Standard SRAM, 4KX4, CMOS
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant
I/O 类型	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0
内存密度	16384 bit	16384 bit	16384 bit	16384 bit	16384 bit	16384 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	4	4	4	4	4	4
字数	4096 words	4096 words	4096 words	4096 words	4096 words	4096 words
字数代码	4000	4000	4000	4000	4000	4000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
组织	4KX4	4KX4	4KX4	4KX4	4KX4	4KX4
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装等效代码	FL(UNSPEC)	DIE OR CHIP	FL(UNSPEC)	FL(UNSPEC)	FL(UNSPEC)	DIE OR CHIP
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225	225	225	225	225	225
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
筛选级别	38535Q/M;38534H;883B	38535Q/M;38534H;883B	38535Q/M;38534H;883B	38535Q/M;38534H;883B	38535Q/M;38534H;883B	38535Q/M;38534H;883B
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	TIN LEAD	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	TIN LEAD
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30	30	30	30	30
封装主体材料	CERAMIC	-	CERAMIC	CERAMIC	CERAMIC	-
封装代码	DFP	-	DFP	DFP	DFP	-
封装形状	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-
封装形式	FLATPACK	-	FLATPACK	FLATPACK	FLATPACK	-
表面贴装	YES	-	YES	YES	YES	-
端子形式	FLAT	-	FLAT	FLAT	FLAT	-
端子位置	DUAL	-	DUAL	DUAL	DUAL	-
Base Number Matches	1	1	1	1	-	-

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器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

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