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Datasheet> 器件分类 > 半导体> 分立半导体> GBJ2503
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GBJ2503

产品描述25 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小64KB，共2页
制造商Uniohm Corp.
官网地址http://www.uniohm.com.tw/
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GBJ2503概述

25 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

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GBJ2501
THRU
GBJ2507
SINGLE PHASE 25.0 AMP BRIDGE RECTIFIERS
VOLTAGE RANGE
50 to 1000 Volts
CURRENT
25.0 Amperes
GBJ
1.193(30.3)
1.169(29.7)
.134(3.4)
.122(3.1)
.203(5.2)
.189(4.8)
.150(3.8)
.134(3.4)
.441(11.2)
.425(10.8)
FEATURES
* Ideal for printed circuit board
* Low forward voltage
* Low leakage current
* Mounting position: Any
.094(2.4)
.078(2.0)
.043(1.1)
.035(0.9)
~
~
.165(4.2)
.150(3.8)
.708(18.0)
.669(17.0)
.800(20.3)
.776(19.7)
.189
(4.8)
.402(10.2) .303(7.7) .303(7.7)
SPACING
.386(9.8) .287(7.3) .287(7.3)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating 25 C ambient temperature uniess otherwies specified.
Single phase half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
+
.114(2.9)
.098(2.5)
.031(0.8)
.023(0.6)
Dimensions in inches and (millimeters)
TYPE NUMBER
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward (with heatsink Note 2)
.375"(9.5mm) Lead Length at Tc=100 C (With heatsink)
Peak Forward Surge Current, 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load (JEDEC method)
Maximum Forward Voltage Drop per Bridge Element at 3.0A D.C.
Maximum DC Reverse Current
Ta=25 C
at Rated DC Blocking Voltage
Typical Junction Capacitance (Note 1)
Typical Thermal Resistance Rq
JC
(Note 2)
Operating Temperature Range, T
J
Storage Temperature Range, T
STG
NOTES:
GBJ2501 GBJ2502 GBJ2503 GBJ2504 GBJ2505 GBJ2506 GBJ2507
UNITS
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
25.0
4.2
350
1.05
10
500
85
0.6
-55
-55
+150
+150
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
V
V
V
A
A
A
V
mA
mA
PF
C/W
C
C
Ta=125 C
1. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
2. Thermal Resistance from Junction to Case with device mounted on 300mm x 300mm x 1.6mm Cu Plate Heatsink.

GBJ2503相似产品对比

GBJ2503 GBJ2501 GBJ2507 GBJ2506 GBJ2505
描述 25 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 25 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 25 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 4.2 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 25 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
是否无铅 - 不含铅 - 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 - 符合 - 符合 符合
厂商名称 - Uniohm Corp. - Uniohm Corp. Uniohm Corp.
包装说明 - R-PSFM-T4 - R-PSFM-T4 R-PSFM-T4
针数 - 4 - 4 4
制造商包装代码 - GBJ - GBJ GBJ
Reach Compliance Code - unknow - unknow unknow
最小击穿电压 - 50 V - 800 V 600 V
配置 - BRIDGE, 4 ELEMENTS - BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料 - SILICON - SILICON SILICON
二极管类型 - BRIDGE RECTIFIER DIODE - BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 - R-PSFM-T4 - R-PSFM-T4 R-PSFM-T4
最大非重复峰值正向电流 - 350 A - 350 A 350 A
元件数量 - 4 - 4 4
相数 - 1 - 1 1
端子数量 - 4 - 4 4
最高工作温度 - 150 °C - 150 °C 150 °C
最低工作温度 - -55 °C - -55 °C -55 °C
最大输出电流 - 4.2 A - 4.2 A 4.2 A
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 - RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - FLANGE MOUNT - FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度） - NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压 - 50 V - 800 V 600 V
表面贴装 - NO - NO NO
端子形式 - THROUGH-HOLE - THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 - SINGLE - SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 - NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED

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