Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> GBJ2002

GBJ2002: 产品描述3.6 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小65KB，共2页; 制造商Uniohm Corp.; 官网地址http://www.uniohm.com.tw/; 标准

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GBJ2002概述

3.6 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

GBJ2002规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Uniohm Corp.
包装说明	R-PSFM-T4
针数	4
制造商包装代码	GBJ
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
最小击穿电压	100 V
配置	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码	R-PSFM-T4
最大非重复峰值正向电流	240 A
元件数量	4
相数	1
端子数量	4
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-55 °C
最大输出电流	20 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压	100 V
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

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GBJ2001

THRU

GBJ2007

SINGLE PHASE 20.0 AMP BRIDGE RECTIFIERS

VOLTAGE RANGE

50 to 1000 Volts

CURRENT

20.0 Amperes

GBJ

1.193(30.3)

1.169(29.7)

.134(3.4)

.122(3.1)

.203(5.2)

.189(4.8)

.150(3.8)

.134(3.4)

.441(11.2)

.425(10.8)

FEATURES

* Ideal for printed circuit board

* Low forward voltage

* Low leakage current

* Mounting position: Any

.094(2.4)

.078(2.0)

.043(1.1)

.035(0.9)

.165(4.2)

.150(3.8)

.708(18.0)

.669(17.0)

.800(20.3)

.776(19.7)

.189

(4.8)

.402(10.2) .303(7.7) .303(7.7)

SPACING

.386(9.8) .287(7.3) .287(7.3)

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Rating 25 C ambient temperature uniess otherwies specified.

Single phase half wave, 60Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

.114(2.9)

.098(2.5)

.031(0.8)

.023(0.6)

Dimensions in inches and (millimeters)

TYPE NUMBER

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

Maximum DC Blocking Voltage

Maximum Average Forward Current @Tc=100 C

Peak Forward Surge Current, 8.3 ms single half sine-wave

superimposed on rated load (JEDEC method)

Maximum Forward Voltage Drop per Bridge Element at 10.0A D.C.

Maximum DC Reverse Current

Ta=25 C

at Rated DC Blocking Voltage

Typical Junction Capacitance (Note 1)

Typical Thermal Resistance Rq

(Note 2)

Operating Temperature Range, T

Storage Temperature Range, T

STG

NOTES:

GBJ2001 GBJ2002 GBJ2003 GBJ2004 GBJ2005 GBJ2006 GBJ2007

UNITS

100

200

140

200

400

280

400

20.0

240

1.05

500

0.8

-55

+150

600

420

600

800

560

800

1000

700

1000

C/W

Ta=125 C

1. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.

2. Thermal Resistance from Junction to Case with device mounted on 300mm x 300mm x 1.6mm Cu Plate Heatsink.

GBJ2002相似产品对比

	GBJ2002	GBJ2003	GBJ2001	GBJ2007	GBJ2006
描述	3.6 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	20 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	20 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	20 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	3.6 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
是否无铅	不含铅	-	不含铅	-	不含铅
是否Rohs认证	符合	-	符合	-	符合
厂商名称	Uniohm Corp.	-	Uniohm Corp.	-	Uniohm Corp.
包装说明	R-PSFM-T4	-	R-PSFM-T4	-	R-PSFM-T4
针数	4	-	4	-	4
制造商包装代码	GBJ	-	GBJ	-	GBJ
Reach Compliance Code	unknow	-	unknown	-	unknow
最小击穿电压	100 V	-	50 V	-	800 V
配置	BRIDGE, 4 ELEMENTS	-	BRIDGE, 4 ELEMENTS	-	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料	SILICON	-	SILICON	-	SILICON
二极管类型	BRIDGE RECTIFIER DIODE	-	BRIDGE RECTIFIER DIODE	-	BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码	R-PSFM-T4	-	R-PSFM-T4	-	R-PSFM-T4
最大非重复峰值正向电流	240 A	-	240 A	-	240 A
元件数量	4	-	4	-	4
相数	1	-	1	-	1
端子数量	4	-	4	-	4
最高工作温度	150 °C	-	150 °C	-	150 °C
最低工作温度	-55 °C	-	-55 °C	-	-55 °C
最大输出电流	20 A	-	20 A	-	20 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	-	FLANGE MOUNT	-	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压	100 V	-	50 V	-	800 V
表面贴装	NO	-	NO	-	NO
端子形式	THROUGH-HOLE	-	THROUGH-HOLE	-	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	-	SINGLE	-	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED

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