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M58BW016BB100T6: 产品描述512KX32 FLASH 3V PROM, 100ns, PQFP80, PLASTIC, QFP-80; 产品类别存储存储; 文件大小434KB，共62页; 制造商ST(意法半导体); 官网地址http://www.st.com/

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M58BW016BB100T6概述

512KX32 FLASH 3V PROM, 100ns, PQFP80, PLASTIC, QFP-80

M58BW016BB100T6规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
零件包装代码	QFP
包装说明	PLASTIC, QFP-80
针数	80
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	100 ns
其他特性	BOTTOM BOOT BLOCK
启动块	BOTTOM
命令用户界面	YES
通用闪存接口	YES
数据轮询	NO
JESD-30 代码	R-PQFP-G80
JESD-609代码	e0
长度	20 mm
内存密度	16777216 bit
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	32
功能数量	1
部门数/规模	8,31
端子数量	80
字数	524288 words
字数代码	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	512KX32
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	QFP
封装等效代码	QFP80,.7X.9,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK
并行/串行	PARALLEL
电源	2.5/3.3,3/3.3 V
编程电压	3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	3.4 mm
部门规模	2K,16K
最大待机电流	0.000005 A
最大压摆率	0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.8 mm
端子位置	QUAD
切换位	NO
类型	NOR TYPE
宽度	14 mm
Base Number Matches	1

M58BW016BB100T6相似产品对比

	M58BW016BB100T6	M58BW016BB80T6	54F244	M58BW016BT100T3	M58BW016BB80ZA6	M58BW016BB90ZA6	M58BW016BB100ZA6	M58BW016BB90T6
描述	512KX32 FLASH 3V PROM, 100ns, PQFP80, PLASTIC, QFP-80	512KX32 FLASH 3V PROM, 80ns, PQFP80, PLASTIC, QFP-80	Octal Buffers/Line Drivers with TRI-STATE(RM) Outputs	512KX32 FLASH 3V PROM, 100ns, PQFP80, PLASTIC, QFP-80	512KX32 FLASH 3V PROM, 80ns, PBGA80, 10 X 12 MM, 1 MM PITCH, LBGA-80	512KX32 FLASH 3V PROM, 90ns, PBGA80, 10 X 12 MM, 1 MM PITCH, LBGA-80	512KX32 FLASH 3V PROM, 100ns, PBGA80, 10 X 12 MM, 1 MM PITCH, LBGA-80	512KX32 FLASH 3V PROM, 90ns, PQFP80, PLASTIC, QFP-80
是否Rohs认证	不符合	不符合	-	不符合	符合	符合	符合	不符合
零件包装代码	QFP	QFP	-	QFP	BGA	BGA	BGA	QFP
包装说明	PLASTIC, QFP-80	PLASTIC, QFP-80	-	PLASTIC, QFP-80	10 X 12 MM, 1 MM PITCH, LBGA-80	10 X 12 MM, 1 MM PITCH, LBGA-80	10 X 12 MM, 1 MM PITCH, LBGA-80	PLASTIC, QFP-80
针数	80	80	-	80	80	80	80	80
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	-	not_compliant	unknown	unknown	unknown	not_compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	-	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	100 ns	80 ns	-	100 ns	80 ns	90 ns	100 ns	90 ns
其他特性	BOTTOM BOOT BLOCK	BOTTOM BOOT BLOCK	-	TOP BOOT BLOCK	BOTTOM BOOT BLOCK	BOTTOM BOOT BLOCK	BOTTOM BOOT BLOCK	BOTTOM BOOT BLOCK
启动块	BOTTOM	BOTTOM	-	TOP	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
命令用户界面	YES	YES	-	YES	YES	YES	YES	YES
通用闪存接口	YES	YES	-	YES	YES	YES	YES	YES
数据轮询	NO	NO	-	NO	NO	NO	NO	NO
JESD-30 代码	R-PQFP-G80	R-PQFP-G80	-	R-PQFP-G80	R-PBGA-B80	R-PBGA-B80	R-PBGA-B80	R-PQFP-G80
JESD-609代码	e0	e0	-	e0	e1	e1	e1	e0
长度	20 mm	20 mm	-	20 mm	12 mm	12 mm	12 mm	20 mm
内存密度	16777216 bit	16777216 bit	-	16777216 bit	16777216 bit	16777216 bit	16777216 bit	16777216 bit
内存集成电路类型	FLASH	FLASH	-	FLASH	FLASH	FLASH	FLASH	FLASH
内存宽度	32	32	-	32	32	32	32	32
功能数量	1	1	-	1	1	1	1	1
部门数/规模	8,31	8,31	-	8,31	8,31	8,31	8,31	8,31
端子数量	80	80	-	80	80	80	80	80
字数	524288 words	524288 words	-	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words
字数代码	512000	512000	-	512000	512000	512000	512000	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	-	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	-	125 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	512KX32	512KX32	-	512KX32	512KX32	512KX32	512KX32	512KX32
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	QFP	QFP	-	QFP	LBGA	LBGA	LBGA	QFP
封装等效代码	QFP80,.7X.9,32	QFP80,.7X.9,32	-	QFP80,.7X.9,32	BGA80,8X10,40	BGA80,8X10,40	BGA80,8X10,40	QFP80,.7X.9,32
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK	FLATPACK	-	FLATPACK	GRID ARRAY, LOW PROFILE	GRID ARRAY, LOW PROFILE	GRID ARRAY, LOW PROFILE	FLATPACK
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	-	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
电源	2.5/3.3,3/3.3 V	2.5/3.3,3/3.3 V	-	2.5/3.3,3/3.3 V	2.5/3.3,3/3.3 V	2.5/3.3,3/3.3 V	2.5/3.3,3/3.3 V	2.5/3.3,3/3.3 V
编程电压	3 V	3 V	-	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	3.4 mm	3.4 mm	-	3.4 mm	1.7 mm	1.7 mm	1.7 mm	3.4 mm
部门规模	2K,16K	2K,16K	-	2K,16K	2K,16K	2K,16K	2K,16K	2K,16K
最大待机电流	0.000005 A	0.000005 A	-	0.000005 A	0.000005 A	0.000005 A	0.000005 A	0.000005 A
最大压摆率	0.03 mA	0.03 mA	-	0.03 mA	0.03 mA	0.03 mA	0.03 mA	0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	-	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V	2.7 V	-	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	-	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
表面贴装	YES	YES	-	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	-	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	-	AUTOMOTIVE	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	-	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Silver/Copper (Sn95.5Ag4.0Cu0.5)	Tin/Silver/Copper (Sn95.5Ag4.0Cu0.5)	Tin/Silver/Copper (Sn95.5Ag4.0Cu0.5)	Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式	GULL WING	GULL WING	-	GULL WING	BALL	BALL	BALL	GULL WING
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	-	0.8 mm	1 mm	1 mm	1 mm	0.8 mm
端子位置	QUAD	QUAD	-	QUAD	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	QUAD
切换位	NO	NO	-	NO	NO	NO	NO	NO
类型	NOR TYPE	NOR TYPE	-	NOR TYPE	NOR TYPE	NOR TYPE	NOR TYPE	NOR TYPE
宽度	14 mm	14 mm	-	14 mm	10 mm	10 mm	10 mm	14 mm
厂商名称	-	ST(意法半导体)	-	ST(意法半导体)	ST(意法半导体)	ST(意法半导体)	ST(意法半导体)	ST(意法半导体)

M58BW016BB100T6

M58BW016BB100T6概述

M58BW016BB100T6规格参数

M58BW016BB100T6相似产品对比

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