ST203C10CDJ0LPBF,ST203C10CDJ0LPBF pdf中文资料,ST203C10CDJ0LPBF引脚图,ST203C10CDJ0LPBF电路-Datasheet-电子工程世界

ST203C10CDJ0LPBF: 产品描述Silicon Controlled Rectifier, 700A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-200AB, METAL CASE WITH CERAMIC INSULATOR, APUK-3; 产品类别模拟混合信号IC 触发装置; 文件大小174KB，共9页; 制造商International Rectifier （ Infineon ）; 官网地址http://www.irf.com/; 标准

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ST203C10CDJ0LPBF概述

Silicon Controlled Rectifier, 700A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-200AB, METAL CASE WITH CERAMIC INSULATOR, APUK-3

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	BUTTON
包装说明	DISK BUTTON, O-CEDB-N2
针数	3
制造商包装代码	A-PUK
Reach Compliance Code	compliant
其他特性	HIGH SPEED
外壳连接	ISOLATED
标称电路换相断开时间	25 µs
配置	SINGLE
最大直流栅极触发电流	200 mA
最大直流栅极触发电压	3 V
最大维持电流	600 mA
JEDEC-95代码	TO-200AB
JESD-30 代码	O-CEDB-N2
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-40 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	ROUND
封装形式	DISK BUTTON
峰值回流温度（摄氏度）	260
认证状态	Not Qualified
最大均方根通态电流	700 A
重复峰值关态漏电流最大值	40000 µA
断态重复峰值电压	1000 V
重复峰值反向电压	1000 V
表面贴装	YES
端子形式	NO LEAD
端子位置	END
处于峰值回流温度下的最长时间	40
触发设备类型	SCR
Base Number Matches	1

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抗du/dt干扰能力为50 V/ns: 如图，经常看到IR系列的IC说明“抗du/dt干扰能力为50 V/ns”，这个概念是什么？还有在别的地方看到“较小的栅极电阻还使得IGBT开通di/dt变大”“波形中di/dt分量比较大”这些是什么概念。...; 平漂流电源技术

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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