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616LP3E: 产品描述175 MHz - 660 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER; 产品类别热门应用无线/射频/通信; 文件大小350KB，共10页; 制造商Hittite Microwave（ADI）; 官网地址http://www.hittite.com/

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616LP3E概述

175 MHz - 660 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER

175 MHz - 660 MHz 射频/微波宽带低功率放大器

	616LP3E	HMC616LP3	HMC616LP3E
描述	175 MHz - 660 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER	175 MHz - 660 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER	175 MHz - 660 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER
最大工作频率	660 MHz	660 MHz	660 MHz
最小工作频率	175 MHz	175 MHz	175 MHz
是否无铅	-	含铅	不含铅
是否Rohs认证	-	不符合	符合
厂商名称	-	Hittite Microwave（ADI）	Hittite Microwave（ADI）
包装说明	-	LCC16,.12SQ,20	LCC16,.12SQ,20
Reach Compliance Code	-	compli	compli
ECCN代码	-	EAR99	EAR99
特性阻抗	-	50 Ω	50 Ω
构造	-	COMPONENT	COMPONENT
增益	-	15 dB	15 dB
最大输入功率 (CW)	-	10 dBm	10 dBm
JESD-609代码	-	e0	e3
安装特点	-	SURFACE MOUNT	SURFACE MOUNT
功能数量	-	1	1
端子数量	-	16	16
最高工作温度	-	85 °C	85 °C
最低工作温度	-	-40 °C	-40 °C
封装主体材料	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装等效代码	-	LCC16,.12SQ,20	LCC16,.12SQ,20
电源	-	3/5 V	3/5 V
射频/微波设备类型	-	WIDE BAND LOW POWER	WIDE BAND LOW POWER
最大压摆率	-	115 mA	115 mA
表面贴装	-	YES	YES
技术	-	GAAS	GAAS
端子面层	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	Matte Tin (Sn)

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ