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SFNF201

产品描述Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小2MB,共60页
制造商Solitron Devices Inc
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SFNF201概述

Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39

SFNF201规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码TO-39
包装说明TO-39
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
最大漏极电流 (Abs) (ID)1 A
最大漏极电流 (ID)1 A
最大漏源导通电阻5 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码S-XUUC-N2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状SQUARE
封装形式UNCASED CHIP
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)6.25 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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