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SSM3K36TU

产品描述TRANSISTOR 500 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, UFM, 2-2U1A, 3 PIN, FET General Purpose Small Signal
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小252KB,共5页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
标准
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SSM3K36TU概述

TRANSISTOR 500 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, UFM, 2-2U1A, 3 PIN, FET General Purpose Small Signal

SSM3K36TU规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压20 V
最大漏极电流 (ID)0.5 A
最大漏源导通电阻0.85 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-F3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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SSM3K36TU
東芝電界効果トランジスタ シリコンNチャネルMOS½
SSM3K36TU
高速スイッチング
1.5 V
駆動です
オン抵抗が½い
: R
on
= 1.52
(最大) (@V
GS
= 1.5 V)
: R
on
= 1.14
(最大) (@V
GS
= 1.8 V)
: R
on
= 0.66
(最大) (@V
GS
= 4.5 V)
: R
on
= 0.63
(最大) (@V
GS
= 5.0 V)
0.65±0.05
2.1±0.1
1.7±0.1
+0.1
0.3 -0.05
3
0.166±0.05
1:ゲート
2:½ース
mW
°C
°C
3:ドレイン
単½:
mm
: R
on
= 0.85
(最大) (@V
GS
= 2.5 V)
2.0±0.1
1
2
絶対最大定格
(Ta
=
25°C)
20
±
10
500
1000
500
800
150
−55~150
単½
V
V
mA
ド レ イ ン ・ ½ ー ス 間 電 圧
ゲ ー ト ・ ½ ー ス 間 電 圧
DC
パルス
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
(注 1)
P
D
(注 2)
T
ch
T
stg
UFM
JEDEC
JEITA
0.7±0.05
2-2U1A
質量:
6.6 mg (標準)
注:本½品の½用条件
(½用温度/電流/電圧等)
が絶対最大定格以内での
½用においても½高負荷
(高温および大電流/高電圧印加½多大な温度
変化等) で連続して½用される場合は½信頼性が著しく½下するおそれがあります。
弊社半導½信頼性ハンドブック
(取り扱い上のご注意とお願いおよびディレーティングの考え方と方法)
および
個別信頼性情報
(信頼性試験レポート½推定故障率等)
をご確認の上½適切な信頼性設計をお願いします。
1: FR4
基板実装時
2
(25.4 mm
×
25.4 mm
×
1.6 mm, Cu Pad: 645 mm )
注 2: セラミック基板実装時
2
(25.4 mm
×
25.4 mm
×
0.8 mm, Cu Pad: 645 mm )
現品表示
3
内部接続
(top view)
3
NX
1
2
1
2
1
2008-03-10

 
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