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SPT6233MRUBS

产品描述Power Bipolar Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小135KB,共2页
制造商SSDI
官网地址http://www.ssdi-power.com/
下载文档 详细参数 全文预览

SPT6233MRUBS概述

Power Bipolar Transistor

SPT6233MRUBS规格参数

参数名称属性值
包装说明FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3
Reach Compliance Codecompliant
最大集电极电流 (IC)5 A
基于收集器的最大容量250 pF
集电极-发射极最大电压225 V
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)9
最大降落时间(tf)800 ns
JEDEC-95代码TO-254AA
JESD-30 代码S-XSFM-P3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度200 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状SQUARE
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)39 W
参考标准MIL-19500
最大上升时间(tr)750 ns
表面贴装NO
端子形式PIN/PEG
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)20 MHz
最大关闭时间(toff)5800 ns
VCEsat-Max2.5 V
Base Number Matches1

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