IS42S32200E-6B,IS42S32200E-6B pdf中文资料,IS42S32200E-6B引脚图,IS42S32200E-6B电路-Datasheet-电子工程世界

IS42S32200E-6B: 产品描述Synchronous DRAM, 2MX32, 5.5ns, CMOS, PBGA90, 13 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, MO-207, TFBGA-90; 产品类别存储存储; 文件大小466KB，共59页; 制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )

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Synchronous DRAM, 2MX32, 5.5ns, CMOS, PBGA90, 13 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, MO-207, TFBGA-90

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
零件包装代码	DSBGA
包装说明	TFBGA, BGA90,9X15,32
针数	90
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	5.5 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	166 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	1,2,4,8
JESD-30 代码	R-PBGA-B90
JESD-609代码	e0
长度	13 mm
内存密度	67108864 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度	32
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	90
字数	2097152 words
字数代码	2000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	2MX32
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装等效代码	BGA90,9X15,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	4096
座面最大高度	1.2 mm
自我刷新	YES
连续突发长度	1,2,4,8,FP
最大待机电流	0.002 A
最大压摆率	0.16 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	8 mm
Base Number Matches	1

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器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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