512K X 8 OTPROM, 80 ns, PQCC32
512K × 8 OTPROM, 80 ns, PQCC32
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | ST(意法半导体) |
零件包装代码 | DIP |
包装说明 | LEAD FREE, CERAMIC, WINDOWED, FRIT SEALED, DIP-32 |
针数 | 32 |
Reach Compliance Code | compli |
ECCN代码 | EAR99 |
最长访问时间 | 100 ns |
I/O 类型 | COMMON |
JESD-30 代码 | R-CDIP-T32 |
JESD-609代码 | e3 |
长度 | 41.885 mm |
内存密度 | 4194304 bi |
内存集成电路类型 | UVPROM |
内存宽度 | 8 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 32 |
字数 | 524288 words |
字数代码 | 512000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 512KX8 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码 | DIP |
封装等效代码 | DIP32,.6 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | 245 |
电源 | 3/3.3 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 5.72 mm |
最大待机电流 | 0.000015 A |
最大压摆率 | 0.015 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | MATTE TIN |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
宽度 | 15.24 mm |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved