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SFF505GD0G

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 2.5A, 300V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ITO-220AB, 3 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小418KB,共3页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
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SFF505GD0G概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 2.5A, 300V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ITO-220AB, 3 PIN

SFF505GD0G规格参数

参数名称属性值
包装说明R-PSFM-T3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS, UL RECOGNIZED
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.3 V
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流70 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流2.5 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压300 V
最大反向电流10 µA
最大反向恢复时间0.035 µs
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
Base Number Matches1

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CREAT BY ART
SFF501G - SFF508G
5.0AMPS Isolated Glass Passivated Super Fast Rectifier
ITO-220AB
Features
UL Recognized File # E-326243
High efficiency, low VF
High current capability
High reliability
High surge current capability
Low power loss
For use in low voltage, high frequency inverter,
Free wheeling, and polarity protection application
Green compound with suffix "G" on packing
code & prefix "G" on datecode
Mechanical Data
Case: ITO-220AB Molded plastic
Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant
Terminals: Pure tin plated, lead free, solderable
per MIL-STD-202, Method 208 guaranteed
Polarity: As marked
High temperature soldering:
260℃/10 seconds/.16",(4.06mm) from case
Weight: 1.71 grams
Mounting torque: 5 in - lbs. max.
Ordering Information (example)
Part No.
SFF501G
Package
ITO-220AB
Packing
50 / TUBE
Packing
code
D0
Packing code
(Green)
D0G
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Rating at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
Type Number
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
Peak Forward Surge Current, 8.3 ms Single Half Sine-wave
Superimposed on Rated Load (JEDEC method)
Maximum Instantaneous Forward Voltage (Note 1)
@ 2.5A
Maximum Reverse Current @ Rated VR
T
A
=25
T
A
=100
Symbol
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
V
F
I
R
Trr
Cj
R
θjC
T
J
T
STG
SFF
501G
50
35
50
SFF
502G
100
70
100
SFF
503G
150
105
150
SFF
504G
200
140
200
5
SFF
505G
300
210
300
SFF
506G
400
280
400
SFF
507G
500
350
500
SFF
508G
600
420
600
Unit
V
V
V
A
A
70
0.98
10
400
35
70
5.5
- 65 to + 150
- 65 to + 150
50
O
1.3
1.7
V
uA
nS
pF
C/W
O
O
Maximum Reverse Recovery Time (Note 2)
Typical Junction Capacitance (Note 3)
Typical Thermal Resistance
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
Note 1: Pulse Test with PW=300 usec, 1% Duty Cycle
C
C
Note 2: Reverse Recovery Test Conditions: I
F
=0.5A, I
R
=1.0A, I
RR
=0.25A
Note 3: Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V D.C.
Version:F13
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