RAD-HARD 8 BINARY COUNTER REGISTER WITH 3 STATE OUTPUT
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | ST(意法半导体) |
零件包装代码 | DIP |
包装说明 | DIP, DIP16,.3 |
针数 | 16 |
Reach Compliance Code | _compli |
计数方向 | UP |
系列 | HC/UH |
JESD-30 代码 | R-CDIP-T16 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 20.32 mm |
负载电容(CL) | 50 pF |
负载/预设输入 | NO |
逻辑集成电路类型 | BINARY COUNTER |
最大频率@ Nom-Su | 22000000 Hz |
最大I(ol) | 0.006 A |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
位数 | 8 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 16 |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码 | DIP |
封装等效代码 | DIP16,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | 2/6 V |
传播延迟(tpd) | 250 ns |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 3.83 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2 V |
标称供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | MILITARY |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
总剂量 | 50k Rad(Si) V |
触发器类型 | POSITIVE EDGE |
宽度 | 7.62 mm |
最小 fmax | 26 MHz |
M54HC590D1 | M54HC590 | M54HC590D | M54HC590K | M54HC590K1 | |
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描述 | RAD-HARD 8 BINARY COUNTER REGISTER WITH 3 STATE OUTPUT | RAD-HARD 8 BINARY COUNTER REGISTER WITH 3 STATE OUTPUT | RAD-HARD 8 BINARY COUNTER REGISTER WITH 3 STATE OUTPUT | RAD-HARD 8 BINARY COUNTER REGISTER WITH 3 STATE OUTPUT | RAD-HARD 8 BINARY COUNTER REGISTER WITH 3 STATE OUTPUT |
是否无铅 | 含铅 | - | 含铅 | 含铅 | - |
是否Rohs认证 | 不符合 | - | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | ST(意法半导体) | - | ST(意法半导体) | ST(意法半导体) | ST(意法半导体) |
零件包装代码 | DIP | - | DIP | DFP | DFP |
包装说明 | DIP, DIP16,.3 | - | DIP, DIP16,.3 | DFP, FL16,.3 | DFP, FL16,.3 |
针数 | 16 | - | 16 | 16 | 16 |
Reach Compliance Code | _compli | - | _compli | _compli | _compli |
计数方向 | UP | - | UP | UP | UP |
系列 | HC/UH | - | HC/UH | HC/UH | HC/UH |
JESD-30 代码 | R-CDIP-T16 | - | R-CDIP-T16 | R-CDFP-F16 | R-CDFP-F16 |
JESD-609代码 | e0 | - | e0 | e0 | e0 |
长度 | 20.32 mm | - | 20.32 mm | 9.94 mm | 9.94 mm |
负载电容(CL) | 50 pF | - | 50 pF | 50 pF | 50 pF |
负载/预设输入 | NO | - | NO | NO | NO |
逻辑集成电路类型 | BINARY COUNTER | - | BINARY COUNTER | BINARY COUNTER | BINARY COUNTER |
最大频率@ Nom-Su | 22000000 Hz | - | 22000000 Hz | 22000000 Hz | 22000000 Hz |
最大I(ol) | 0.006 A | - | 0.006 A | 0.006 A | 0.006 A |
工作模式 | ASYNCHRONOUS | - | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
位数 | 8 | - | 8 | 8 | 8 |
功能数量 | 1 | - | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 16 | - | 16 | 16 | 16 |
最高工作温度 | 125 °C | - | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C | - | -55 °C | -55 °C | -55 °C |
输出特性 | 3-STATE | - | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | - | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码 | DIP | - | DIP | DFP | DFP |
封装等效代码 | DIP16,.3 | - | DIP16,.3 | FL16,.3 | FL16,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE | - | IN-LINE | FLATPACK | FLATPACK |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
电源 | 2/6 V | - | 2/6 V | 2/6 V | 2/6 V |
传播延迟(tpd) | 250 ns | - | 250 ns | 250 ns | 250 ns |
认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
座面最大高度 | 3.83 mm | - | 3.83 mm | 2.38 mm | 2.38 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 6 V | - | 6 V | 6 V | 6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2 V | - | 2 V | 2 V | 2 V |
标称供电电压 (Vsup) | 4.5 V | - | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
表面贴装 | NO | - | NO | YES | YES |
技术 | CMOS | - | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | MILITARY | - | MILITARY | MILITARY | MILITARY |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE | - | THROUGH-HOLE | FLAT | FLAT |
端子节距 | 2.54 mm | - | 2.54 mm | 1.27 mm | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL | - | DUAL | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
总剂量 | 50k Rad(Si) V | - | 50k Rad(Si) V | 50k Rad(Si) V | 50k Rad(Si) V |
触发器类型 | POSITIVE EDGE | - | POSITIVE EDGE | POSITIVE EDGE | POSITIVE EDGE |
宽度 | 7.62 mm | - | 7.62 mm | 6.91 mm | 6.91 mm |
最小 fmax | 26 MHz | - | 26 MHz | 26 MHz | 26 MHz |
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