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M54HC590D1

产品描述RAD-HARD 8 BINARY COUNTER REGISTER WITH 3 STATE OUTPUT
产品类别逻辑    逻辑   
文件大小665KB,共16页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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M54HC590D1概述

RAD-HARD 8 BINARY COUNTER REGISTER WITH 3 STATE OUTPUT

M54HC590D1规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP16,.3
针数16
Reach Compliance Code_compli
计数方向UP
系列HC/UH
JESD-30 代码R-CDIP-T16
JESD-609代码e0
长度20.32 mm
负载电容(CL)50 pF
负载/预设输入NO
逻辑集成电路类型BINARY COUNTER
最大频率@ Nom-Su22000000 Hz
最大I(ol)0.006 A
工作模式ASYNCHRONOUS
位数8
功能数量1
端子数量16
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DIP
封装等效代码DIP16,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源2/6 V
传播延迟(tpd)250 ns
认证状态Not Qualified
座面最大高度3.83 mm
最大供电电压 (Vsup)6 V
最小供电电压 (Vsup)2 V
标称供电电压 (Vsup)4.5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
总剂量50k Rad(Si) V
触发器类型POSITIVE EDGE
宽度7.62 mm
最小 fmax26 MHz

M54HC590D1相似产品对比

M54HC590D1 M54HC590 M54HC590D M54HC590K M54HC590K1
描述 RAD-HARD 8 BINARY COUNTER REGISTER WITH 3 STATE OUTPUT RAD-HARD 8 BINARY COUNTER REGISTER WITH 3 STATE OUTPUT RAD-HARD 8 BINARY COUNTER REGISTER WITH 3 STATE OUTPUT RAD-HARD 8 BINARY COUNTER REGISTER WITH 3 STATE OUTPUT RAD-HARD 8 BINARY COUNTER REGISTER WITH 3 STATE OUTPUT
是否无铅 含铅 - 含铅 含铅 -
是否Rohs认证 不符合 - 不符合 不符合 不符合
厂商名称 ST(意法半导体) - ST(意法半导体) ST(意法半导体) ST(意法半导体)
零件包装代码 DIP - DIP DFP DFP
包装说明 DIP, DIP16,.3 - DIP, DIP16,.3 DFP, FL16,.3 DFP, FL16,.3
针数 16 - 16 16 16
Reach Compliance Code _compli - _compli _compli _compli
计数方向 UP - UP UP UP
系列 HC/UH - HC/UH HC/UH HC/UH
JESD-30 代码 R-CDIP-T16 - R-CDIP-T16 R-CDFP-F16 R-CDFP-F16
JESD-609代码 e0 - e0 e0 e0
长度 20.32 mm - 20.32 mm 9.94 mm 9.94 mm
负载电容(CL) 50 pF - 50 pF 50 pF 50 pF
负载/预设输入 NO - NO NO NO
逻辑集成电路类型 BINARY COUNTER - BINARY COUNTER BINARY COUNTER BINARY COUNTER
最大频率@ Nom-Su 22000000 Hz - 22000000 Hz 22000000 Hz 22000000 Hz
最大I(ol) 0.006 A - 0.006 A 0.006 A 0.006 A
工作模式 ASYNCHRONOUS - ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
位数 8 - 8 8 8
功能数量 1 - 1 1 1
端子数量 16 - 16 16 16
最高工作温度 125 °C - 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C - -55 °C -55 °C -55 °C
输出特性 3-STATE - 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED - CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码 DIP - DIP DFP DFP
封装等效代码 DIP16,.3 - DIP16,.3 FL16,.3 FL16,.3
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE - IN-LINE FLATPACK FLATPACK
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 2/6 V - 2/6 V 2/6 V 2/6 V
传播延迟(tpd) 250 ns - 250 ns 250 ns 250 ns
认证状态 Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 3.83 mm - 3.83 mm 2.38 mm 2.38 mm
最大供电电压 (Vsup) 6 V - 6 V 6 V 6 V
最小供电电压 (Vsup) 2 V - 2 V 2 V 2 V
标称供电电压 (Vsup) 4.5 V - 4.5 V 4.5 V 4.5 V
表面贴装 NO - NO YES YES
技术 CMOS - CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY - MILITARY MILITARY MILITARY
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE - THROUGH-HOLE FLAT FLAT
端子节距 2.54 mm - 2.54 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL - DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
总剂量 50k Rad(Si) V - 50k Rad(Si) V 50k Rad(Si) V 50k Rad(Si) V
触发器类型 POSITIVE EDGE - POSITIVE EDGE POSITIVE EDGE POSITIVE EDGE
宽度 7.62 mm - 7.62 mm 6.91 mm 6.91 mm
最小 fmax 26 MHz - 26 MHz 26 MHz 26 MHz
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