1GX8 FLASH 1.8V PROM, 35ns, PBGA63, 9.50 X 12 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LFBGA-63
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
零件包装代码 | BGA |
包装说明 | 9.50 X 12 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LFBGA-63 |
针数 | 63 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | 3A991.B.1.A |
最长访问时间 | 35 ns |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B63 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 15 mm |
内存密度 | 8589934592 bit |
内存集成电路类型 | FLASH |
内存宽度 | 8 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 63 |
字数 | 1073741824 words |
字数代码 | 1000000000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 1GX8 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | LFBGA |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
编程电压 | 1.8 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.4 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 1.95 V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 0.8 mm |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
类型 | NAND TYPE |
宽度 | 8.5 mm |
Base Number Matches | 1 |
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