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74V1G07_04

产品描述4K, 512 X 8 SERIAL EE, -40C to +125C, 6-SOT-23, T/R
文件大小192KB,共9页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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74V1G07_04概述

4K, 512 X 8 SERIAL EE, -40C to +125C, 6-SOT-23, T/R

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74V1G07
SINGLE BUFFER (OPEN DRAIN)
s
s
s
s
s
s
HIGH SPEED: t
PD
= 3.7ns (TYP.) at V
CC
= 5V
LOW POWER DISSIPATION:
I
CC
= 1µA(MAX.) at T
A
=25°C
HIGH NOISE IMMUNITY:
V
NIH
= V
NIL
= 28% V
CC
(MIN.)
POWER DOWN PROTECTION ON INPUT
OPERATING VOLTAGE RANGE:
V
CC
(OPR) = 2V to 5.5V
IMPROVED LATCH-UP IMMUNITY
SOT23-5L
SOT323-5L
ORDER CODES
PACKAGE
SOT23-5L
SOT323-5L
T&R
74V1G07STR
74V1G07CTR
DESCRIPTION
The 74V1G07 is an advanced high-speed CMOS
SINGLE BUFFER (OPEN DRAIN) fabricated with
sub-micron silicon gate and double-layer metal
wiring C
2
MOS technology.
The internal circuit is composed of 2 stages
including buffer output, which provide high noise
immunity and stable output.
Power down protection is provided on input and 0
to 7V can be accepted on input with no regard to
the supply voltage. This device can be used to
interface 5V to 3V.
PIN CONNECTION AND IEC LOGIC SYMBOLS
April 2003
1/9

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74V1G07_04 74V1G07
描述 4K, 512 X 8 SERIAL EE, -40C to +125C, 6-SOT-23, T/R 4K, 512 X 8 SERIAL EE, -40C to +125C, 6-SOT-23, T/R
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