Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> BUW35LEADFREE

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BUW35LEADFREE: 产品描述Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小201KB，共2页; 制造商Central Semiconductor; 标准

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BUW35LEADFREE概述

Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN

BUW35LEADFREE规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	TO-204AA
包装说明	TO-3, 2 PIN
针数	2
Reach Compliance Code	not_compliant
外壳连接	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	10 A
集电极-发射极最大电压	400 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	15
JEDEC-95代码	TO-3
JESD-30 代码	O-MBFM-P2
JESD-609代码	e3
元件数量	1
端子数量	2
封装主体材料	METAL
封装形状	ROUND
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	NPN
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	MATTE TIN (315)
端子形式	PIN/PEG
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	10
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

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BUW34

BUW35

BUW36

NPN SILICON

POWER TRANSISTOR

Central

Semiconductor Corp.

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR BUW34, BUW35,

and BUW36 types are silicon NPN power transistors

designed for high voltage, fast switching applications.

MARKING: FULL PART NUMBER

TO-3 CASE

MAXIMUM RATINGS:

(TC=25°C unless otherwise noted)

SYMBOL

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Base Current

Power Dissipation

Operating and Storage Junction Temperature

Thermal Resistance

VCES

VCEO

VEBO

TJ, Tstg

BUW34

500

400

BUW35

800

400

7.0

5.0

125

-65 to +200

1.4

BUW36

900

450

UNITS

°C

°C/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS:

(TC=25°C unless otherwise noted)

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MIN

ICES

IEBO

BVCEO

VCE(SAT)

VBE(SAT)

hFE

ton

toff

VCE=Rated VCES

VCE=Rated VCES, TC=125°C

VEB=7.0V

IC=100mA (BUW34, BUW35)

IC=100mA (BUW36)

IC=5.0A,

IC=8.0A,

IC=5.0A,

IB=1.0A

IB=2.5A (BUW35)

IB=2.5A (BUW36)

IB=1.0A

400

450

MAX

500

UNITS

μA

1.5

3.0

1.5

1.8

0.7

3.8

μs

IC=8.0A, IB=2.5A (BUW35, BUW36)

VCE=5.0V, IC=1.0A

IC=5.0A, IB1=1.0A, VCC=250V

IC=5.0A, IB1=IB2=1.0A, VCC=250V

R0 (5-March 2008)

BUW35LEADFREE相似产品对比

	BUW35LEADFREE	BUW36LEADFREE	BUW34LEADFREE
描述	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 450V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合
零件包装代码	TO-204AA	TO-204AA	TO-204AA
包装说明	TO-3, 2 PIN	TO-3, 2 PIN	TO-3, 2 PIN
针数	2	2	2
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	not_compliant
外壳连接	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	10 A	10 A	10 A
集电极-发射极最大电压	400 V	450 V	400 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	15	15	15
JEDEC-95代码	TO-3	TO-3	TO-3
JESD-30 代码	O-MBFM-P2	O-MBFM-P2	O-MBFM-P2
JESD-609代码	e3	e3	e3
元件数量	1	1	1
端子数量	2	2	2
封装主体材料	METAL	METAL	METAL
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260
极性/信道类型	NPN	NPN	NPN
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO
端子面层	MATTE TIN (315)	MATTE TIN (315)	Matte Tin (Sn)
端子形式	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	10	10	10
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON
Base Number Matches	1	1	-

推荐资源

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

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