IDT7M1002S80G,IDT7M1002S80G pdf中文资料,IDT7M1002S80G引脚图,IDT7M1002S80G电路-Datasheet-电子工程世界

IDT7M1002S80G: 产品描述Multi-Port SRAM Module, 16KX32, 80ns, CMOS, CPGA121, 1.300 X 1.300 INCH, CERAMIC, PGA-121; 产品类别存储存储; 文件大小611KB，共18页; 制造商IDT (Integrated Device Technology)

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IDT7M1002S80G概述

Multi-Port SRAM Module, 16KX32, 80ns, CMOS, CPGA121, 1.300 X 1.300 INCH, CERAMIC, PGA-121

IDT7M1002S80G规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
零件包装代码	PGA
包装说明	1.300 X 1.300 INCH, CERAMIC, PGA-121
针数	121
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	80 ns
其他特性	INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	S-CPGA-P121
JESD-609代码	e0
长度	34.036 mm
内存密度	524288 bit
内存集成电路类型	MULTI-PORT SRAM MODULE
内存宽度	32
功能数量	1
端口数量	2
端子数量	121
字数	16384 words
字数代码	16000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	16KX32
输出特性	3-STATE
可输出	YES
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	PGA
封装等效代码	PGA121,13X13
封装形状	SQUARE
封装形式	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	5.969 mm
最大待机电流	0.06 A
最小待机电流	4.5 V
最大压摆率	1.36 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	PIN/PEG
端子节距	2.54 mm
端子位置	PERPENDICULAR
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	34.036 mm
Base Number Matches	1

IDT7M1002S80G相似产品对比

	IDT7M1002S80G	IDT7M1002S100GB	IDT7M1002S80GB
描述	Multi-Port SRAM Module, 16KX32, 80ns, CMOS, CPGA121, 1.300 X 1.300 INCH, CERAMIC, PGA-121	Multi-Port SRAM Module, 16KX32, 100ns, CMOS, CPGA121, 1.300 X 1.300 INCH, CERAMIC, PGA-121	Multi-Port SRAM Module, 16KX32, 80ns, CMOS, CPGA121, 1.300 X 1.300 INCH, CERAMIC, PGA-121
是否无铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	PGA	PGA	PGA
包装说明	1.300 X 1.300 INCH, CERAMIC, PGA-121	1.300 X 1.300 INCH, CERAMIC, PGA-121	1.300 X 1.300 INCH, CERAMIC, PGA-121
针数	121	121	121
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	not_compliant
ECCN代码	EAR99	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C
最长访问时间	80 ns	100 ns	80 ns
其他特性	INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE	INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE	INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	S-CPGA-P121	S-CPGA-P121	S-CPGA-P121
JESD-609代码	e0	e0	e0
长度	34.036 mm	34.036 mm	34.036 mm
内存密度	524288 bit	524288 bit	524288 bit
内存集成电路类型	MULTI-PORT SRAM MODULE	MULTI-PORT SRAM MODULE	MULTI-PORT SRAM MODULE
内存宽度	32	32	32
功能数量	1	1	1
端口数量	2	2	2
端子数量	121	121	121
字数	16384 words	16384 words	16384 words
字数代码	16000	16000	16000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-	-55 °C	-55 °C
组织	16KX32	16KX32	16KX32
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE
可输出	YES	YES	YES
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	PGA	PGA	PGA
封装等效代码	PGA121,13X13	PGA121,13X13	PGA121,13X13
封装形状	SQUARE	SQUARE	SQUARE
封装形式	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	5.969 mm	5.969 mm	5.969 mm
最大待机电流	0.06 A	0.12 A	0.12 A
最小待机电流	4.5 V	4.5 V	4.5 V
最大压摆率	1.36 mA	1.4 mA	1.4 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	MILITARY	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	PERPENDICULAR	PERPENDICULAR	PERPENDICULAR
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	34.036 mm	34.036 mm	34.036 mm
Base Number Matches	1	1	1
筛选级别	-	38535Q/M;38534H;883B	38535Q/M;38534H;883B

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