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NE3508M04-A

产品描述NE3508M04-A
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小206KB,共12页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
标准  
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NE3508M04-A在线购买

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NE3508M04-A概述

NE3508M04-A

NE3508M04-A规格参数

参数名称属性值
Brand NameRenesas
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-F4
针数4
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性LOW NOISE
外壳连接DRAIN
配置SINGLE
最小漏源击穿电压3 V
最大漏极电流 (ID)0.03 A
FET 技术HETERO-JUNCTION
最高频带S BAND
JESD-30 代码R-PDSO-F4
JESD-609代码e6
元件数量1
端子数量4
工作模式DEPLETION MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)0.175 W
最小功率增益 (Gp)12 dB
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN BISMUTH
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

NE3508M04-A相似产品对比

NE3508M04-A NE3508M04-T2-A NE3508M04-T2B-A
描述 NE3508M04-A NE3508M04-T2-A NE3508M04-T2B-A
Brand Name Renesas Renesas Renesas
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F4 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F4 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F4
针数 4 4 4
Reach Compliance Code compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最小漏源击穿电压 3 V 3 V 3 V
最大漏极电流 (ID) 0.03 A 0.03 A 0.03 A
FET 技术 HETERO-JUNCTION HETERO-JUNCTION HETERO-JUNCTION
最高频带 S BAND S BAND S BAND
JESD-30 代码 R-PDSO-F4 R-PDSO-F4 R-PDSO-F4
元件数量 1 1 1
端子数量 4 4 4
工作模式 DEPLETION MODE DEPLETION MODE DEPLETION MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 0.175 W 0.175 W 0.175 W
最小功率增益 (Gp) 12 dB 12 dB 12 dB
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES
端子形式 FLAT FLAT FLAT
端子位置 DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
其他特性 LOW NOISE LOW NOISE -
外壳连接 DRAIN DRAIN -
JESD-609代码 e6 e6 -
端子面层 TIN BISMUTH TIN BISMUTH -
Base Number Matches 1 1 -

 
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