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NDS8434S62Z

产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小113KB,共6页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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NDS8434S62Z概述

Small Signal Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

NDS8434S62Z规格参数

参数名称属性值
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压20 V
最大漏极电流 (ID)6.5 A
最大漏源导通电阻0.035 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G8
元件数量1
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型P-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

NDS8434S62Z相似产品对比

NDS8434S62Z NDS8434L99Z
描述 Small Signal Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET Small Signal Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 20 V 20 V
最大漏极电流 (ID) 6.5 A 6.5 A
最大漏源导通电阻 0.035 Ω 0.035 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8
元件数量 1 1
端子数量 8 8
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 P-CHANNEL P-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1
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