BCT/FBT SERIES, 8-BIT TRANSCEIVER, INVERTED OUTPUT, CDIP24
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 包装说明 | DIP, DIP24,.3 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | 3A001.A.2.C |
| 其他特性 | WITH DIRECTION CONTROL |
| 控制类型 | COMMON CONTROL |
| 计数方向 | BIDIRECTIONAL |
| 系列 | BCT/FBT |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T24 |
| 长度 | 32.005 mm |
| 负载电容（CL） | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型 | BUS TRANSCEIVER |
| 最大I（ol） | 0.003 A |
| 位数 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 2 |
| 端子数量 | 24 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 输出特性 | OPEN-COLLECTOR/3-STATE |
| 输出极性 | INVERTED |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP24,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V |
| 最大电源电流（ICC） | 125 mA |
| Prop。Delay @ Nom-Sup | 7.4 ns |
| 传播延迟（tpd） | 6.7 ns |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.08 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | BICMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 翻译 | N/A |
| 宽度 | 7.62 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| SN54BCT25642JT | SN54BCT25642FK | |
|---|---|---|
| 描述 | BCT/FBT SERIES, 8-BIT TRANSCEIVER, INVERTED OUTPUT, CDIP24 | BCT/FBT SERIES, 8-BIT TRANSCEIVER, INVERTED OUTPUT, CQCC28 |
| 是否无铅 | 含铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| 包装说明 | DIP, DIP24,.3 | QCCN, LCC28,.45SQ |
| Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant |
| ECCN代码 | 3A001.A.2.C | 3A001.A.2.C |
| 其他特性 | WITH DIRECTION CONTROL | WITH DIRECTION CONTROL |
| 控制类型 | COMMON CONTROL | COMMON CONTROL |
| 计数方向 | BIDIRECTIONAL | BIDIRECTIONAL |
| 系列 | BCT/FBT | BCT/FBT |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T24 | S-CQCC-N28 |
| 长度 | 32.005 mm | 11.43 mm |
| 负载电容（CL） | 50 pF | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型 | BUS TRANSCEIVER | BUS TRANSCEIVER |
| 最大I（ol） | 0.003 A | 0.003 A |
| 位数 | 8 | 8 |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 端口数量 | 2 | 2 |
| 端子数量 | 24 | 28 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C |
| 输出特性 | OPEN-COLLECTOR/3-STATE | OPEN-COLLECTOR/3-STATE |
| 输出极性 | INVERTED | INVERTED |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | DIP | QCCN |
| 封装等效代码 | DIP24,.3 | LCC28,.45SQ |
| 封装形状 | RECTANGULAR | SQUARE |
| 封装形式 | IN-LINE | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V | 5 V |
| 最大电源电流（ICC） | 125 mA | 125 mA |
| Prop。Delay @ Nom-Sup | 7.4 ns | 7.4 ns |
| 传播延迟（tpd） | 6.7 ns | 6.7 ns |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.08 mm | 2.03 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | YES |
| 技术 | BICMOS | BICMOS |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | NO LEAD |
| 端子节距 | 2.54 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 翻译 | N/A | N/A |
| 宽度 | 7.62 mm | 11.43 mm |
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