D ts e t
aa h e
R c e t r lc r nc
o h se Ee to is
Ma u a t r dCo o e t
n fc u e
mp n n s
R c e tr b a d d c mp n ns ae
o h se rn e
o oet r
ma ua trd u ig ete dewaes
n fcue sn i r i/ fr
h
p rh s d f m te oiia s p l r
uc a e r
o h r n l u pi s
g
e
o R c e tr waes rce td f m
r o h se
fr e rae r
o
te oiia I. Al rce t n ae
h
r nl P
g
l e rai s r
o
d n wi tea p o a o teOC
o e t h p rv l f h
h
M.
P r aetse u igoiia fcoy
at r e td sn r n la tr
s
g
ts p o rmso R c e tr e eo e
e t rga
r o h se d v lp d
ts s lt n t g aa te p o u t
e t oui s o u rne
o
rd c
me t o e c e teOC d t s e t
es r x e d h
M aa h e.
Qu l yOv riw
ai
t
e ve
• IO- 0 1
S 90
•A 92 cr ct n
S 1 0 et ai
i
o
• Qu l e Ma ua trr Ls (
ai d
n fcues it QML MI- R -
) LP F
385
53
•C a sQ Mitr
ls
lay
i
•C a sVS a eL v l
ls
p c ee
• Qu l e S p l r Ls o D sr uos( L )
ai d u pi s it f it b tr QS D
e
i
•R c e trsacic l u pir oD A a d
o h se i
r ia s p l t L n
t
e
me t aln u t a dD A sa d r s
es lid sr n L tn ad .
y
R c e tr lcrnc , L i c mmi e t
o h se Ee t is L C s o
o
tdo
t
s p ligp o u t ta s t f c so r x e t-
u pyn rd cs h t ai y u tme e p ca
s
t n fr u lya daee u loto eoiial
i s o q ai n r q a t h s r n l
o
t
g
y
s p l db id sr ma ua trr.
u pi
e yn ut
y n fcues
T eoiia ma ua trr d ts e t c o a yn ti d c me t e e t tep r r n e
h r n l n fcue’ aa h e a c mp n ig hs o u n r cs h ef ma c
g
s
o
a ds e ic t n o teR c e tr n fcue v rino ti d vc . o h se Ee t n
n p c ai s f h o h se ma ua trd eso f hs e ie R c e tr lcr -
o
o
isg aa te tep r r n eo i s mio d co p o u t t teoiia OE s e ic -
c u rne s h ef ma c ft e c n u tr rd cs o h r n l M p c a
o
s
g
t n .T pc lv le aefr eee c p r o e o l. eti mii m o ma i m rt g
i s ‘y ia’ au s r o rfrn e up s s ny C r n nmu
o
a
r xmu ai s
n
ma b b s do p o u t h rceiain d sg , i lt n o s mpetsig
y e a e n rd c c aa tr t , e in smuai , r a l e t .
z o
o
n
© 2 1 R cetr l t n s LC Al i t R sre 0 1 2 1
0 3 ohs E cr i , L . lRg s eevd 7 1 0 3
e e oc
h
T l r m r, l s v iw wrcl . m
o e n oe p ae it w . e c o
a
e
s
o ec
ON Semiconductort
SCANSWITCHt
NPN Bipolar Power Deflection Transistors
For High and Very High Resolution CRT
Monitors
The MJF16206 and the MJW16206 are state–of–the–art
SWITCHMODEt bipolar power transistors. They are specifically
designed for use in horizontal deflection circuits for high and very
high resolution, monochrome and color CRT monitors.
•
1200 Volt V
CES
Breakdown Capability
•
Typical Dynamic Desaturation Specified (New Turn–Off Characteristic)
•
Maximum Repetitive Emitter–Base Avalanche Energy Specified (Industry
First)
•
High Current Capability:
Performance Specified at 6.5 Amps
Continuous Rating — 12 Amps Max
Pulsed Rating — 15 Amps Max
•
Isolated MJF16206 is UL Recognized
•
Fast Switching:
100 ns Inductive Fall Time (Typ)
1000 ns Inductive Storage Time (Typ)
•
Low Saturation Voltage
0.25 Volts (Typ) at 6.5 Amps Collector Current
•
High Emitter–Base Breakdown Capability For High Voltage Off Drive
Circuits —
8.0 V (Min)
MJW16206
POWER TRANSISTORS
12 AMPERES
1200 VOLTS — V
CES
50 and 150 WATTS
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î Î Î
ÎÎÎ Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎ Î Î
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
V
CES
Value
1200
500
8.0
—
—
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Collector–Emitter Breakdown Voltage
Collector–Emitter Sustaining Voltage
Emitter–Base Voltage
V
CEO(sus)
V
EBO
Isolation Voltage
(RMS for 1 sec., T
A
= 25_C,
Relative Humidity
v
30%)
V
ISOL
V
rms
Figure 19
Figure 20
Collector Current — Continuous
Collector Current
— Pulsed (1)
Base Current — Continuous
Base Current
— Pulsed (1)
I
C
I
CM
I
B
I
BM
12
15
Adc
Adc
5.0
10
0.2
Repetitive Emitter–Base Avalanche Energy
Total Power Dissipation @ T
C
= 25_C
Total Power Dissipation
@ T
C
= 100_C
Derated above 25_C
Operating and Storage Temperature
W
(BER)
P
D
mjoules
Watts
W/_C
_C
150
39
1.49
T
J
, T
stg
–55 to +150
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001
CASE 340K–01
TO–247AE
1
April, 2001 – Rev. 5
Publication Order Number:
MJW16206/D
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎ Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î
Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎ Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎ Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
(1) Pulse Test: Pulse Width = 300
µs,
Duty Cycle
v
2.0%.
(1) Pulse Test: Pulse Width = 5.0 ms, Duty Cycle
v
10%.
SWITCHING CHARACTERISTICS
DYNAMIC CHARACTERISTICS
ON CHARACTERISTICS (1)
OFF CHARACTERISTICS (1)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
C
= 25_C unless otherwise noted)
THERMAL CHARACTERISTICS
Inductive Load (Figure 15) (I
C
= 6.5 A, I
B
= 1.5 A)
Storage
Fall Time
Collector–Heatsink Capacitance — MJF16206 Isolated Package
(Mounted on a 1″ x 2″ x 1/16″ Copper Heatsink,
V
CE
= 0, f
test
= 100 kHz)
Gain Bandwidth Product
(V
CE
= 10 Vdc, I
C
= 0.5 A, f
test
= 1.0 MHz)
Output Capacitance
(V
CE
= 10 Vdc, I
E
= 0, f
test
= 100 kHz)
Emitter–Base Avalanche Turn–off Energy (Figure 15)
(t = 500 ns, R
BE
= 22
Ω)
Dynamic Desaturation Interval (Figure 15)
(I
C
= 6.5 Adc, I
B
= 1.5 Adc, L
B
= 0.5
µH)
DC Current Gain
(I
C
= 1.0 Adc, V
CE
= 5.0 Vdc)
(I
C
= 10 Adc, V
CE
= 5.0 Vdc)
(I
C
= 12 Adc, V
CE
= 5.0 Vdc)
Base–Emitter Saturation Voltage
(I
C
= 6.5 Adc, I
B
= 1.5 Adc)
Collector–Emitter Saturation Voltage
(I
C
= 3.0 Adc, I
B
= 400 mAdc)
(I
C
= 6.5 Adc, I
B
= 1.5 Adc)
Emitter–Base Breakdown Voltage
(I
E
= 1.0 mA, I
C
= 0)
Collector–Emitter Sustaining Voltage (Figure 10)
(I
C
= 10 mAdc, I
B
= 0)
Emitter–Base Leakage
(V
EB
= 8.0 Vdc, I
C
= 0)
Collector Cutoff Current
(V
CE
= 1200 Vdc, V
BE
= 0 V)
(V
CE
= 850 Vdc, V
BE
= 0 V)
Lead Temperature for Soldering Purposes 1/8″ from the Case for 5
seconds
Thermal Resistance — Junction to Case
Characteristic
Characteristic
http://onsemi.com
MJW16206
2
V
CEO(sus)
V
(BR)EBO
Symbol
V
CE(sat)
V
BE(sat)
EB
(off)
C
c–hs
Symbol
I
EBO
I
CES
C
ob
h
FE
t
ds
t
sv
t
fi
f
T
R
θJC
T
L
Min
500
8.0
—
5.0
3.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0.67
Max
1000
100
260
0.15
0.25
Typ
180
250
3.0
0.9
24
8.0
6.0
17
30
11
—
—
—
—
2250
250
Max
350
250
25
1.5
1.0
1.0
25
—
13
—
—
—
—
—
—
—
_C/W
Unit
_C
µjoules
µAdc
µAdc
MHz
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Vdc
pF
pF
ns
ns
—
MJW16206
VCE , COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
100
70
50
hFE , DC CURRENT GAIN
30
20
10
7
5
3
2
1
0.2
5
3
2
1
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
I
C
/I
B1
= 10
10
5
T
J
= 25°C
T
J
= 100°C
T
J
= 100°C
25°C
-55°C
V
CE
= 5 V
0.3
3
5 7
2
0.5 0.7 1
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
10
20
0.2 0.3
0.5 0.7
1
2
3
5
7
10
20
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 1. Typical DC Current Gain
Figure 2. Typical Collector–Emitter
Saturation Voltage
VCE , COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
3
2
1
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05 0.07 0.1
I
C
= 2 A
4A
6.5 A
10 A
T
J
= 25°C
8A
VBE, BASE-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
7
5
10
7
5
3
2
1
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7
1
2
3
5
T
J
= 25°C
T
J
= 100°C
7
10
20
I
C
/I
B1
= 5 to 10
0.2 0.3
0.5 0.7 1
I
B
, BASE CURRENT (AMPS)
2
3
5
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 3. Typical Collector Saturation Region
Figure 4. Typical Base–Emitter
Saturation Voltage
C
ib
f T, TRANSITION FREQUENCY (MHz)
10K
7K
5K
3K
2K
C, CAPACITANCE (pF)
1K
700
500
300
200
100
70
50
30
20
T
C
= 25°C
f = 1 MHz
10
7
5
3
2
1
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
C
ob
f
(test)
= 1 MHz
T
C
= 25°C
V
CE
= 10 V
10
0.1 0.2 0.3 0.5
1
2 3 5 7 10 20 30 50 100 200 300 500 1K
0.2
0.3
0.5 0.7
1
2
3
5
7
10
V
R
, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 5. Typical Capacitance
Figure 6. Typical Transition Frequency
http://onsemi.com
3
MJW16206
SAFE OPERATING AREA INFORMATION
30
20
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
10
5
3
2
1
0.5
0.3
0.2
0.1
0.05
0.03
0.02
WIREBOND LIMIT
THERMAL LIMIT
SECONDARY BREAKDOWN
LIMIT
10
µs
5 ms
100
ns
II*
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
MJW16206
dc
20
16
12
8
4
0
0V
I
C
/I
B1
≥
5
T
J
≤
100°C
V
BE(off)
= 5 V
2V
600
800
1K
1.2K
1
10
100 200 300 500
2 3 5
20 30 50
V
CE
, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
1K
0
200
400
V
CE
, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
*REGION II EXPANDED FBSOA USING
MUR8100E, ULTRAFAST RECTIFIER (SEE FIGURE 12)
Figure 8. Maximum Reverse Bias
Safe Operating Area
Figure 7. Maximum Forward Biased
Safe Operating Area
FORWARD BIAS
100
90
POWER RATING FACTOR (%)
80
70
60
50
40
30
20
10
0
25
50
75
100
125
150
THERMAL
DERATING
SECOND BREAKDOWN
DERATING
There are two limitations on the power handling ability of
a transistor: average junction temperature and second
breakdown. Safe operating area curves indicate I
C
– V
CE
limits of the transistor that must be observed for reliable
operation; i.e., the transistor must not be subjected to greater
dissipation than the curves indicate.
The data of Figure 7 is based on T
C
= 25_C; T
J(pk)
is
variable depending on power level. Second breakdown
pulse limits are valid for duty cycles to 10% but must be
derated when T
C
≥
25_C. Second breakdown limitations do
not derate the same as thermal limitations. Allowable
current at the voltages shown on Figure 7 may be found at
any case temperature by using the appropriate curve on
Figure 9.
At high case temperatures, thermal limitations will reduce
the power that can be handled to values less than the
limitations imposed by second breakdown.
REVERSE BIAS
T
C
, CASE TEMPERATURE (°C)
Figure 9. Power Derating
Inductive loads, in most cases, require the
emitter–to–base junction be reversed biased because high
voltage and high current must be sustained simultaneously
during turn–off. Under these conditions, the collector
voltage must be held to a safe level at or below a specific
value of collector current. This can be accomplished by
several means such as active clamping, RC snubbing, load
line shaping, etc. The safe level for these devices is specified
as Reverse Biased Safe Operating Area and represents the
voltage–current condition allowable during reverse biased
turn–off. This rating is verified under clamped conditions so
that the device is never subjected to an avalanche mode.
Figure 8 gives the RBSOA characteristics.
http://onsemi.com
4
stm32/stm8
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
