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RD5.6SB2-T1

产品描述Zener Diode, 5.61V V(Z), 2.5%, 0.2W, Silicon, Unidirectional, SUPERMINI-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小55KB,共12页
制造商NEC(日电)
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RD5.6SB2-T1概述

Zener Diode, 5.61V V(Z), 2.5%, 0.2W, Silicon, Unidirectional, SUPERMINI-2

RD5.6SB2-T1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明R-PDSO-G2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-G2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.2 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压5.61 V
表面贴装YES
技术ZENER
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压容差2.5%
工作测试电流5 mA
Base Number Matches1

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DATA SHEET
ZENER DIODES
RD2.0S to RD120S
ZENER DIODES
200 mW 2 PINS SUPER MINI MOLD
DESCRIPTION
Type RD2.0S to RD120S Series are 2 PIN Super Mini
Mold Package zener diodes possessing an allowable power
dissipation of 200 mW.
PACKAGE DIMENSIONS
(in millimeter)
PACKAGE DIMENSIONS
FEATURES
• Sharp Breakdown characteristic.
• Vz: Applied E24 standard.
(in millimeters)
2.5±0.15
1.7±0.1
APPLICATIONS
Circuit for Constant Voltage, Constant Current, Wave form
Clipper, Surge absorber, etc.
0.19
Cathode
Indication
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25
°
C)
Power Dissipation
Forward Current
Reverse Surge Power
Junction Temperature
Storage Temperature
P
I
F
P
RSM
T
j
T
stg
200 mW
100 mA
85 W (at t=10
µ
s/1 pulse) Show Fig. 12
150
°C
–55 to +150
°C
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and additional information.
Document No. D11444EJ3V0DS00 (3rd edition)
Date Published March 1999 N CP(K)
Printed in Japan
©
0.11
+0.05
–0.01
0±0.05
0.9±0.1
0.3±0.05
1.25±0.1
,,
,,,,
1995
mp430F5529LP 入门修炼(2)----久违的led
终于开始了程序之旅 从网上搜来一大票资料,一步步走。 参考教程来一步下学习 利用CCSV5.1自带的430ware的强大资源库学习MSP430 https://bbs.eeworld.com.cn/forum.php?mod=viewthrea ......
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