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RA253-B

产品描述Rectifier Diode,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小116KB,共2页
制造商Micro Commercial Components (MCC)
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RA253-B概述

Rectifier Diode,

RA253-B规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
JESD-609代码e0
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches1

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MCC
Micro Commercial Components
TM
  omponents
20736 Marilla Street Chatsworth

  !"#
$ %    !"#
RA251
THRU
RA257
25.0 Amp High
Current Plastic Silicon
Rectifier
50 to 1000 Volts
Features
l
Plastic Material Used Carriers Underwrites Laboratory
Classification 94V-O
Low Cost Construction Utilizing Void-free Molded Plastic
Technique
High Surge Capability
Diffused Junction
l
l
l
Maximum Ratings
l
l
Operating & Storage Temperature: -50 C to +175 C
For Capacitive Load, Derate Current by 20%
Maximum
Recurrent
Peak
Reverse
Voltage
50V
100V
200V
400V
600V
800V
1000V
o
o
RA
A
MCC Part
Number
RA251
RA252
RA253
RA254
RA255
RA256
RA257
Maximum
RMS Voltage
35V
70V
140V
280V
420V
560V
700V
Maximum
DC
Blocking
Voltage
50V
100V
200V
400V
600V
800V
1000V
D
E
C
Electrical Characteristics @ 25
o
C Unless Otherwise Specified
Average Forward
Current
Peak Forward Surge
Current
Maximum
Instantaneous
Forward Voltage
Maximum DC
Reverse Current At
Rated DC Blocking
Voltage
Typical Reverse
Recovery Times
Typical Junction
Capacitance
I
F(AV)
I
FSM
V
F
25.0A
400A
T
C
=150
o
C
8.3ms half
sine
I
FM
=25.0A
T
A
=25 C
o
B
1.1V
I
R
5.0uA
T
C
=25
o
C
I
F
=0.5A,
I
R
=1.0A,
I
rr
=0.25A
Measured at
1.0MHz,
V
R
=4.0V
t
rr
3.0us
DIMENSION
DIM INCHES
MM
NOTE
MIN MAX MIN MAX
A .380 .410 9.70 10.40
B .165 .185 4.19 4.70
C .215 .225 5.50 5.70
D .235 .250 6.00 6.40
E -----
5
o
-----
5
o
NOM
C
j
300pF
www.mccsemi.com
Revision: 3
2003/04/30

RA253-B相似产品对比

RA253-B RA256-B RA254-B
描述 Rectifier Diode, Rectifier Diode, Rectifier Diode,
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
JESD-609代码 e0 e0 e0
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches 1 1 -
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