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RFP8N18

产品描述Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小76KB,共1页
制造商Thomson Consumer Electronics
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RFP8N18概述

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

RFP8N18规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Reach Compliance Codeunknown
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)8 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码e0
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)60 W
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches1
一个任务异常挂起(有相关的定位数据),求进一步的定位方法
操作系统:VxWorks,CPU:MPC860,IDE:Tornado2.0现象:1.程序(此程序很大有几十个任务运行)运行一段时间后异常复位,每次复位之间的时间间隔无规律,有时半个小时,有时2个小时,有时5,6个小时。2.通过打印了解到,是由于一个任务tlongtimer被异常挂起(suspended)了,该任务1S执行一次,主要执行两个函数:A(先),B(后),即:tlongTimer{A;B...
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