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HB56G136B-7B

产品描述Fast Page DRAM Module, 1MX36, 70ns, CMOS, SIMM-72
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文件大小200KB,共21页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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HB56G136B-7B概述

Fast Page DRAM Module, 1MX36, 70ns, CMOS, SIMM-72

HB56G136B-7B规格参数

参数名称属性值
零件包装代码SIMM
包装说明SIMM, SSIM72
针数72
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE
最长访问时间70 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XSMA-N72
内存密度37748736 bit
内存集成电路类型FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度36
功能数量1
端口数量1
端子数量72
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1MX36
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码SIMM
封装等效代码SSIM72
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期1024
座面最大高度25.4 mm
最大待机电流0.004 A
最大压摆率0.44 mA
最大供电电压 (Vsup)5.25 V
最小供电电压 (Vsup)4.75 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置SINGLE
Base Number Matches1

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HB56G136B/SB-6B/7B
1,048,576-word
×
36-bit High Density Dynamic RAM Module
ADE-203-546A (Z)
Rev.1.0
Feb. 20, 1996
Description
The HB56G136 is a 1M
×
36 dynamic RAM module, mounted 2 pieces of 16-Mbit DRAM
(HM5118160BJ) sealed in SOJ package and 2 pieces of 2-Mbit DRAM (HM512200BS) sealed in SOJ
package.
An outline of the HB56G136 is 72-pin single in-line package. Therefore, the HB56G136 makes high
density mounting possible without surface mount technology.
The HB56G136 provides common data inputs and outputs. Decoupling capacitors are mounted
beneath each SOJ on the its module board.
Features
72-pin single in-line package
Lead pitch: 1.27 mm
Single 5 V (±5%) supply
High speed
Access time: t
RAC
= 60 ns/70 ns (max)
Low power dissipation
Active mode: 2.63 W/2.31 W (max)
Standby mode (TTL): 42 mW (max)
Fast page mode capability
1,024 refresh cycle: 16 ms
3 variations of refresh
RAS-only
refresh
CAS-before-RAS
refresh
Hidden refresh
TTL compatible

HB56G136B-7B相似产品对比

HB56G136B-7B HB56G136SB-7B HB56G136B-6B HB56G136SB-6B
描述 Fast Page DRAM Module, 1MX36, 70ns, CMOS, SIMM-72 Fast Page DRAM Module, 1MX36, 70ns, CMOS, SIMM-72 Fast Page DRAM Module, 1MX36, 60ns, CMOS, SIMM-72 Fast Page DRAM Module, 1MX36, 60ns, CMOS, SIMM-72
零件包装代码 SIMM SIMM SIMM SIMM
包装说明 SIMM, SSIM72 SIMM, SSIM72 SIMM, SSIM72 SIMM, SSIM72
针数 72 72 72 72
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE
最长访问时间 70 ns 70 ns 60 ns 60 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XSMA-N72 R-XSMA-N72 R-XSMA-N72 R-XSMA-N72
内存密度 37748736 bit 37748736 bit 37748736 bit 37748736 bit
内存集成电路类型 FAST PAGE DRAM MODULE FAST PAGE DRAM MODULE FAST PAGE DRAM MODULE FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度 36 36 36 36
功能数量 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1
端子数量 72 72 72 72
字数 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words
字数代码 1000000 1000000 1000000 1000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 1MX36 1MX36 1MX36 1MX36
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 SIMM SIMM SIMM SIMM
封装等效代码 SSIM72 SSIM72 SSIM72 SSIM72
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 1024 1024 1024 1024
座面最大高度 25.4 mm 25.4 mm 25.4 mm 25.4 mm
最大待机电流 0.004 A 0.004 A 0.004 A 0.004 A
最大压摆率 0.44 mA 0.44 mA 0.5 mA 0.5 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.25 V 5.25 V 5.25 V 5.25 V
最小供电电压 (Vsup) 4.75 V 4.75 V 4.75 V 4.75 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
厂商名称 - Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas )
PWM输出的问题!50%输出正常!12.5%输出100MS有20MS没有波行输出
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