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PZTA44

产品描述Transistor,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小392KB,共4页
制造商CDIL[Continental Device India Pvt. Ltd.]
标准
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PZTA44概述

Transistor,

PZTA44规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Reach Compliance Codecompliant
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)0.3 A
集电极-发射极最大电压400 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)40
JESD-30 代码R-PDSO-G4
元件数量1
端子数量4
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
参考标准AEC-Q101; TS 16949
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)20 MHz
Base Number Matches1

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Continental Device India Limited
An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company
NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR
PZTA44
SOT-223
Formed SMD Package
High Voltage Transistor
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
DESCRIPTION
Collector Base Voltage
Collector Emitter Voltage
Emitter Base Voltage
Collector Current (DC)
Collector Current Peak
Base Current Peak
Power Dissipation upto T
amb
=25ºC
Storage Temperature
Junction Temperature
Operating Ambient Temperature
THERMAL RESISTANCE
From junction to ambient
From junction to soldering point
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
*P
D
T
stg
T
j
T
amb
VALUE
500
400
6.0
300
300
100
1.35
- 65 to +150
150
- 65 to +150
UNITS
V
V
V
mA
mA
mA
W
ºC
ºC
ºC
*R
th (j-a)
R
th (j-s)
91
10
K/W
K/W
* Device Mounted on a printed circuit board, single sided copper, tinplated, mounting pad for collector 1 cm
2
.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
amb
=25ºC unless specified otherwise)
DESCRIPTION
SYMBOL
TEST CONDITION
I
CBO
V
CB
=400V, I
E
=0
Collector Cut Off Current
V
CB
=400V, I
E
=0, T
j
=150ºC
Emitter Cut Off Current
DC Current Gain
I
EBO
h
FE
V
EB
=4V, I
C
=0
I
C
=1mA, V
CE
=10V
I
C
=10mA, V
CE
=10V
*I
C
=50mA, V
CE
=10V
*I
C
=100mA, V
CE
=10V
I
C
=1mA, I
B
=0.1mA
I
C
=10mA, I
B
=1mA
*I
C
=50mA, I
B
=5mA
Base Emitter Saturation Voltage
Collector Capacitance
Emitter Capacitance
Transition Frequency
Pulse test tp <300
µ
s;
δ
< 0.02
PZTA44Rev140606E
Continental Device India Limited
MIN
TYP
MAX
100
10
100
UNITS
nA
µA
nA
40
50
45
40
200
Collector Emitter Saturation Voltage
V
CE (sat)
0.40
0.50
0.75
0.85
7.0
180
20
V
V
V
V
pF
pF
MHz
V
BE (sat)
C
c
C
e
f
T
*I
C
=10mA, I
B
=1mA
V
CB
=20V, f=1MHz
V
EB
=0.5V, f=1MHz
I
C
=10mA, V
CE
=10V,f=100MHz
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