Inverters Triple
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) |
| 零件包装代码 | DSBGA |
| 包装说明 | MO-211EB, DSBGA-8 |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | _compli |
| 系列 | LVC/LCX/Z |
| JESD-30 代码 | R-XBGA-B8 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 1.9 mm |
| 负载电容（CL） | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型 | INVERTER |
| 最大I（ol） | 0.024 A |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 功能数量 | 3 |
| 输入次数 | 1 |
| 端子数量 | 8 |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | VFBGA |
| 封装等效代码 | BGA8,2X4,20 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 包装方法 | TAPE AND REEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 3.3 V |
| Prop。Delay @ Nom-Su | 4.1 ns |
| 传播延迟（tpd） | 7.9 ns |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 施密特触发器 | NO |
| 座面最大高度 | 0.5 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.65 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 0.5 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 0.9 mm |
| SN74LVC3G04YEAR | SN74LVC3G04YEPR | SN74LVC3G04YZAR | |
|---|---|---|---|
| 描述 | Inverters Triple | Inverters Triple Inverter Gate | Inverters Triple Inverter Gate |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 符合 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) |
| 零件包装代码 | DSBGA | BGA | DSBGA |
| 包装说明 | MO-211EB, DSBGA-8 | DSBGA-8 | GREEN, MO-211EB, DSBGA-8 |
| 针数 | 8 | 8 | 8 |
| Reach Compliance Code | _compli | _compli | unknow |
| 系列 | LVC/LCX/Z | LVC/LCX/Z | LVC/LCX/Z |
| JESD-30 代码 | R-XBGA-B8 | R-XBGA-B8 | R-XBGA-B8 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e1 |
| 长度 | 1.9 mm | 1.9 mm | 1.9 mm |
| 负载电容（CL） | 50 pF | 50 pF | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型 | INVERTER | INVERTER | INVERTER |
| 最大I（ol） | 0.024 A | 0.024 A | 0.024 A |
| 湿度敏感等级 | 1 | 1 | 1 |
| 功能数量 | 3 | 3 | 3 |
| 输入次数 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 8 | 8 | 8 |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | -40 °C |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | VFBGA | VFBGA | VFBGA |
| 封装等效代码 | BGA8,2X4,20 | BGA8,2X4,20 | BGA8,2X4,20 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 包装方法 | TAPE AND REEL | TAPE AND REEL | TAPE AND REEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V |
| Prop。Delay @ Nom-Su | 4.1 ns | 4.1 ns | 4.1 ns |
| 传播延迟（tpd） | 7.9 ns | 7.9 ns | 7.9 ns |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 施密特触发器 | NO | NO | NO |
| 座面最大高度 | 0.5 mm | 0.5 mm | 0.5 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.65 V | 1.65 V | 1.65 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V | 1.8 V | 1.8 V |
| 表面贴装 | YES | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式 | BALL | BALL | BALL |
| 端子节距 | 0.5 mm | 0.5 mm | 0.5 mm |
| 端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 0.9 mm | 0.9 mm | 0.9 mm |
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