TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,80V V(BR)DSS,25A I(D),TO-218AC
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 包装说明 | , |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 配置 | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 25 A |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 150 W |
| 表面贴装 | NO |
| Base Number Matches | 1 |
| MTH25N08 | MTH25N10 | |
|---|---|---|
| 描述 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,80V V(BR)DSS,25A I(D),TO-218AC | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,100V V(BR)DSS,25A I(D),TO-218AC |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown |
| 配置 | Single | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 25 A | 25 A |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 150 W | 150 W |
| 表面贴装 | NO | NO |
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