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MGB15N38CLT4

产品描述15A, 350V, N-CHANNEL IGBT, D2PAK-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小62KB,共4页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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MGB15N38CLT4概述

15A, 350V, N-CHANNEL IGBT, D2PAK-3

MGB15N38CLT4规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码D2PAK
包装说明D2PAK-3
针数3
Reach Compliance Codenot_compliant
最大集电极电流 (IC)15 A
集电极-发射极最大电压350 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值2.1 V
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)136 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管应用AUTOMOTIVE IGNITION
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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MGP15N38CL,
MGB15N38CL1.
Preferred Device
Ignition IGBT
15 Amps, 380 Volts
N–Channel TO–220 and D
2
PAK
This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features
Gate–Emitter ESD protection, Gate Collector Over–Voltage
Protection from monolithic circuitry for usage as an Ignition Coil
Driver.
Temperature Compensated Gate – Collector Clamp Limits Stress
Applied to Load
Integrated ESD Diode Protection
Low Threshold Voltage to Interface Power Loads to Logic or
Microprocessor Devices
Low Saturation Voltage
High Pulsed Current Capability
MAXIMUM RATINGS
(T
J
= 25°C unless otherwise noted)
Rating
Collector–Emitter Voltage
Collector–Gate Voltage
Gate–Emitter Voltage
Collector Current – Continuous
Total Power Dissipation
Derate above 25°C
Operating and Storage Temperature
Range
Symbol
V
CES
V
CER
V
GE
I
C
P
D
T
J
, T
stg
Value
CLAMPED
CLAMPED
CLAMPED
15
136
0.91
–55 to 175
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
Watts
W/°C
°C
4
http://onsemi.com
15 AMPERES
380 VOLTS (Clamped)
V
CE(on)
= 1.8 mΩ
N–Channel
C
G
E
4
1
TO–220AB
CASE 221A
STYLE 9
2
3
2
3
D
2
PAK
CASE 418B
STYLE 3
1
MARKING DIAGRAMS
& PIN ASSIGNMENTS
4
Cathode
UNCLAMPED COLLECTOR–TO–EMITTER AVALANCHE
CHARACTERISTICS (T
J
< 150°C)
Single Pulse Collector–to–Emitter
Avalanche Energy
V
CC
= 50 V, V
GE
= 5.0 V, Peak
I
L
= 14.2 A, L = 3.0 mH,
Starting T
J
= 25°C
V
CC
= 50 V, V
GE
= 5.0 V, Peak
I
L
= 10 A, L = 3.0 mH,
Starting T
J
= 150°C
THERMAL CHARACTERISTICS
Thermal Resistance
– Junction–to–Case
– Junction–to–Ambient
Maximum Lead Temperature for
Soldering Purposes, 1/8″ from case
for 5 seconds
°C/W
R
θJC
R
θJA
T
L
1.1
62.5
260
°C
E
AS
300
mJ
4
Collector
G15N38CL
YWW
G15N38CL
YWW
1
Gate
2
Collector
3
Emitter
1
Anode
2
Cathode
3
Anode
150
G15N38CL = Device Code
Y
= Year
WW
= Work Week
ORDERING INFORMATION
Device
MGP15N38CL
MGB15N38CLT4
Package
TO–220
D2PAK
Shipping
50 Units/Rail
800 Tape & Reel
Preferred
devices are recommended choices for future use
and best overall value.
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2000
1
November, 2000 – Rev. 1
Publication Order Number:
MGP15N38CL/D
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