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1N7068SMSS

产品描述10 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小158KB,共2页
制造商SSDI
官网地址http://www.ssdi-power.com/
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1N7068SMSS概述

10 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

1N7068SMSS规格参数

参数名称属性值
包装说明E-LELF-R2
针数2
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
应用HYPER FAST RECOVERY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.78 V
JESD-30 代码E-LELF-R2
最大非重复峰值正向电流325 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流10 A
封装主体材料GLASS
封装形状ELLIPTICAL
封装形式LONG FORM
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压150 V
最大反向恢复时间0.03 µs
表面贴装YES
端子形式WRAP AROUND
端子位置END
Base Number Matches1

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PRELIMINARY
Solid State Devices, Inc.
14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638
Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-1773
ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com
1N7066 thru 1N7068
and
1N7066SMS thru 1N7068SMS
10 AMP
50
150 VOLTS
30 ns HYPERFAST RECOVERY
RECTIFIER
FEATURES:
Designer’s Data Sheet
Part Number/Ordering Information
1/
1N70
__ __ __
Screening
2/
__
= Not Screened
TX = TX Level
TXV = TXV
S = S Level
Package Type
__
= Axial Leaded
SMS = Surface Mount Square Tab
Voltage/Family
66= 50V
67 = 100V
68 = 150V
Hyper Fast Reverse Recovery: 30ns Maximum
4/
High Surge Current: 325 A Maximum
Hermetically Sealed
Low Forward Voltage Drop .95 @10A
Void Free Chip Construction
Solid Silver Leads
Available in Axial & Square Tab Versions
TX, TXV, and S-Level Screening Available
2/
Axial Lead Higher Current Replacements for:
1N5807, 1N5809, 1N5811
Possible SMS Replacements for Stud Mount :
1N5812, 1N5814, 1N5816
MAXIMUM RATINGS
3/
RATING
Peak Repetitive Reverse
Voltage
And
DC Blocking Voltage
1N7066
1N7067
1N7068
SYMBOL
V
RRM
V
RWM
V
R
I
O
I
FSM
T
J
and
T
STG
R
θJL
R
θJE
VALUE
50
100
150
10
325
-65 to +175
8
4.5
UNIT
Volts
Average Rectified Forward Current
(Axial TL
55°C; SMS TEC
100°C )
5/
Peak Surge Current
(8.3 ms pulse, half sine wave, superimposed on Io, allow
junction to reach equilibrium between pulses, T
A
= 25°C)
Amps
Amps
°C
°C/W
Operating & Storage Temperature
Thermal Resistance
NOTES:
1/
For Ordering Information, Price, Operating Curves, and Availability- Contact Factory.
2/
Screening Based on MIL-PRF-19500. Screening Flows Available on Request.
3/
Unless Otherwise Specified, All Electrical Characteristics @25ºC.
4/
I
F
= 1A, I
R
= 1A, I
RR
= 0.1A,
T
A
= 25°C
5/
Operating at higher Io currents may be achieved based on specific application
Junction to Lead for Axial, L =.125"
Junction to End Tab for Surface Mount
Axial Leaded
SMS
and device mounting if Tj is maintained below 175ºC.
NOTE:
All specifications are subject to change without notification.
SCD's for these devices should be reviewed by SSDI prior to release.
DATA SHEET #: RC0119C
DOC

1N7068SMSS相似产品对比

1N7068SMSS ESD9X12VD-2/TR 1N7067SMSS
描述 10 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 1-Line, Uni-directional, Normal-Capacitor Transient Voltage Suppressors 10 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
包装说明 E-LELF-R2 - HERMETIC SEALED, SMS, 2 PIN
针数 2 - 2
Reach Compliance Code compli - compli
ECCN代码 EAR99 - EAR99
应用 HYPER FAST RECOVERY - HYPER FAST RECOVERY
外壳连接 ISOLATED - ISOLATED
配置 SINGLE - SINGLE
二极管元件材料 SILICON - SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE - RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 0.78 V - 0.78 V
JESD-30 代码 E-LELF-R2 - E-LELF-R2
最大非重复峰值正向电流 325 A - 325 A
元件数量 1 - 1
相数 1 - 1
端子数量 2 - 2
最高工作温度 175 °C - 175 °C
最低工作温度 -65 °C - -65 °C
最大输出电流 10 A - 10 A
封装主体材料 GLASS - GLASS
封装形状 ELLIPTICAL - ELLIPTICAL
封装形式 LONG FORM - LONG FORM
认证状态 Not Qualified - Not Qualified
最大重复峰值反向电压 150 V - 100 V
最大反向恢复时间 0.03 µs - 0.03 µs
表面贴装 YES - YES
端子形式 WRAP AROUND - WRAP AROUND
端子位置 END - END
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