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EN29LV400AB-45RBI

产品描述Flash, 256KX16, 45ns, PBGA48, TFBGA-48
产品类别存储    存储   
文件大小328KB,共40页
制造商Eon
官网地址http://www.essi.com.tw/
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EN29LV400AB-45RBI概述

Flash, 256KX16, 45ns, PBGA48, TFBGA-48

EN29LV400AB-45RBI规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明TFBGA-48
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间45 ns
备用内存宽度8
启动块BOTTOM
命令用户界面YES
数据轮询YES
耐久性100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-PBGA-B48
JESD-609代码e0
长度8 mm
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度16
功能数量1
部门数/规模1,2,1,7
端子数量48
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织256KX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LFBGA
封装等效代码BGA48,6X8,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
电源3.3 V
编程电压3 V
认证状态Not Qualified
就绪/忙碌YES
座面最大高度1.3 mm
部门规模16K,8K,32K,64K
最大待机电流0.000005 A
最大压摆率0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
切换位YES
类型NOR TYPE
宽度6 mm
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